[实用新型]Micro-LED封装结构有效
申请号: | 202221670022.5 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN217655880U | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 赵文强;袁兆斌 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 潍坊正信致远知识产权代理有限公司 37255 | 代理人: | 于治洪 |
地址: | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种Micro‑LED封装结构,涉及芯片封装技术领域。Micro‑LED封装结构,包括电路板,与所述电路板电连接的Micro‑LED芯片和封装在所述Micro‑LED芯片上的透光盖板,所述电路板上设置有散热件,所述Micro‑LED芯片设置在所述散热件上。本实用新型Mi cro‑LED封装结构能够快速及时有效地将Mi cro‑LED芯片产生的热量散播出去,解决了Mi cro‑LED芯片的散热问题,避免了热应力的非均匀分布和热堆积对Micro‑LED芯片造成的影响,提高了Micro‑LED芯片的发光效率,延长了Mi cro‑LED芯片的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及芯片封装技术领域,具体涉及一种Micro-LED封装结构。
背景技术
目前,Micro-LED芯片的电光转换效率约为30%,剩余的70%转化为热能,而Micro-LED芯片的尺寸较小,如果热量集中在尺寸很小的Micro-LED芯片内不能及时有效的散播出去,则会导致Micro-LED芯片的温度升高,进而引起热应力的非均匀分布和芯片发光效率的下降,降低Micro-LED芯片的使用寿命,因此,解决Micro-LED芯片的散热问题是目前急需解决的技术难题之一。
实用新型内容
针对现有技术存在的以上缺陷,本实用新型提供一种Micro-LED封装结构,该Micro-LED封装结构解决了Micro-LED芯片的散热问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:
Micro-LED封装结构,包括电路板,与所述电路板电连接的Micro-LED芯片和封装在所述Micro-LED芯片上的透光盖板,所述电路板上设置有散热件,所述Micro-LED芯片设置在所述散热件上。
其中,所述电路板上设置有镶嵌通孔,所述散热件镶嵌在所述镶嵌通孔内。
其中,所述散热件包括散热主板和设置在所述散热主板上的散热翅,所述散热主板镶嵌所述镶嵌通孔内,所述散热翅位于所述镶嵌通孔外,所述Micro-LED芯片设置在所述散热主板上。
其中,所述散热主板靠近所述Micro-LED芯片一侧的表面与所述电路板的表面平齐。
其中,所述散热翅设置有多个,相邻两所述散热翅间隔设置。
其中,所述散热翅呈片状或柱状。
其中,所述Micro-LED芯片上设置有引出极,所述电路板上设置有接触极,所述引出极与所述接触极通过导线电连接。
其中,所述引出极设置有多个,各所述引出极对称布置在所述Micro-LED芯片的相对两侧;相应的,所述接触极设置有多个,各所述接触极对称布置在所述镶嵌通孔的相对两侧。
其中,所述导线与所述引出极的连接处、所述导线以及所述导线与所述接触极的连接处均封装有密封胶。
其中,所述透光盖板为玻璃盖板。
采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
本实用新型提供的Micro-LED封装结构,由于在电路板上设置了散热件,并将Micro-LED芯片设置在了散热件上,因此,能够快速及时有效地将Micro-LED芯片产生的热量散播出去,解决了Micro-LED芯片的散热问题,避免了热应力的非均匀分布和热堆积对Micro-LED芯片造成的影响,提高了Micro-LED芯片的发光效率,延长了Micro-LED芯片的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型Micro-LED封装结构的结构示意图;
图中:1、电路板;11、接触极;2、Micro-LED芯片;21、引出极;3、透光盖板;4、散热件;41、散热主板;42、散热翅;5、导线;6、密封胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的