[实用新型]一种芯片输出电流控制电路有效

专利信息
申请号: 202221673339.4 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN217849248U 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 姚瑞琨;纪静文 申请(专利权)人: 深圳君略科技有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M3/158;H02M1/32
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 朱阳波
地址: 518100 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 输出 电流 控制电路
【说明书】:

实用新型公开了一种芯片输出电流控制电路,其包括:偏置电流输出模块,接入参考电压,用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端;偏置电流输入模块,接入所述参考电压,用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流;所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。本实用新型根据接入的参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端,并根据接入的参考电压产生输入偏置电流来调节所述输出端的电流,以使输出端的电流为输出偏置电流与输入偏置电流的差值电流,使得芯片通过采用差分电流输出的方式可以对芯片输出电流进行调节以保证芯片输出电流的精度要求,使得可以输出微小电流。

技术领域

本实用新型涉集成电路技术领域,尤其涉及的是一种芯片输出电流控制电路。

背景技术

集成电路芯片的内部MOS电路的工作偏置电流需要满足一定的大小,偏置电流太小则会造成一致性差或者噪声的干扰,会影响电流的稳定性。

为了让芯片输出微小电流(100nA级别),芯片的内部电路也要工作在微小电流偏置状态(100nA级别),此时MOS管工作在亚阈值区域。如MOS管的工作电流公式当VGS-Vt趋近于0时,电流为无穷小,此时可以取得微小电流偏置。

实际上,MOS管的阈值电压Vt是会变化的,因为制造工艺偏差,Vt=V0+dVt,V0是器件的理想阈值电压,dVt是工艺偏差导致的失配阈值电压。当需要获取一个0(或接近于0)的电流值时,理想情况下VGS-Vt=VGS-V0=0,即

实际上VGS-Vt=VGS-(V0+dVt)=-dVt

可见dVt的影响很严重,即器件的工艺失配造成MOS管的偏置电流偏差很大。当MOS管设置偏置电流100nA时,实际输出电流可能为0,也可能是200nA,达不到+-5%偏差的要求,由此生产的芯片输出电流也无法精确控制。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种芯片输出电流控制电路,以解决现有芯片输出电流控制电路因MOS管的制造工艺偏差导致芯片输出电流无法精确控制的问题。

本实用新型的技术方案如下:

一种芯片输出电流控制电路,其包括:

偏置电流输出模块,接入参考电压,用于根据所述参考电压产生输出偏置电流并输出至芯片的输出端;

偏置电流输入模块,接入所述参考电压,用于根据所述参考电压产生输入偏置电流以调节所述输出端的电流;

其中,所述输出端的电流为所述输出偏置电流与所述输入偏置电流的差值电流。

本实用新型的进一步设置,所述偏置电流输出模块包括:第一可调电流输出单元与第一MOS管;

所述第一可调电流输出单元接入所述参考电压,并根据所述参考电压产生第一可调电流;

所述第一MOS管的栅极与所述第一可调电流输出单元连接,所述第一MOS管的漏极连接所述输出端,所述第一MOS管的源极接入电源,所述第一MOS管用于根据所述第一可调电流输出所述输出偏置电流至所述输出端。

本实用新型的进一步设置,所述第一可调电流输出单元包括:第一运算放大器、第二MOS管与第一电阻;其中,

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