[实用新型]一种BMS控制的分级负载切换的电路

说明书

本实用新型公开了一种BMS控制的分级负载切换的电路，包括电连接在BMS与充放电柜之间的主开关管组，所述主开关管组包括主开关管Q1和主开关管Q2，所述主开关管Q1和主开关管Q2串接在BMS与充放电柜之间。所述主开关管的两端并联有第一级电流切换支路和第二级电流切换支路，并通过第一级电流切换支路和第二级电流切换支路使得电流分级切换，保护主开关管Q1和主开关管Q2不会过电压击穿。有益效果：通过第一级电流切换支路和第二级电流切换支路实现分级限流切断负载，使得电流突变量降低，进而减小电流突变带来的电压尖峰，使得尖峰电压降低，使BMS保护板的MOSFET工作在其额定耐压以内，提高了系统的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及BMS保护板充放电负载切换控制技术领域，尤其涉及一种BMS控制的分级负载切换的电路。

背景技术

为解决当前很多保护板测试设备(即充放电柜)，在负载突然切断时会有较大的电压尖峰，由于处于电压和电流以及成本等因素考虑，目前低速车、三轮车的BMS保护板的功率开关主要选用的MOSFET的耐压多数为100V，而充放电柜质量参差不齐，其切断电压经常有超过100V尖峰，此尖峰如果能量过大会导致尖峰吸收电路和MOSFET击穿。因此充放电柜在负载断开时会产生超过100V的尖峰，导致产品损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种BMS控制的分级负载切换的电路，通过第一级电流切换支路和第二级电流切换支路实现分级限流切断负载，使得电流突变量降低，进而减小电流突变带来的电压尖峰，使得尖峰电压降低，使BMS保护板的MOSFET工作在其额定耐压以内，提高了系统的可靠性。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种BMS控制的分级负载切换的电路，包括电连接在BMS与充放电柜之间的主开关管组，所述主开关管组包括主开关管Q1和主开关管Q2，所述主开关管Q1和主开关管Q2串接在BMS与充放电柜之间。

所述主开关管的两端并联有第一级电流切换支路和第二级电流切换支路，并通过第一级电流切换支路和第二级电流切换支路使得电流分级切换，保护主开关管Q1和主开关管Q2不会过电压击穿。

进一步的，所述第一级电流切换支路包括依次串接的副开关管Q3、副开关管Q4和电阻R1，所述副开关管Q3的D端与主开关管Q1连接，所述电阻R1与主开关管Q2的D端连接。

进一步的，所述第二级电流切换支路包括依次串接的副开关管Q5、副开关管Q6和电阻R2，所述副开关管Q5的D端与副开关管Q3连接，所述电阻R2与电阻R1的另一端连接。

本实用新型的有益效果是：

由于负载开关突然断开时，回路中大电流无法形成回路，在电路寄生电感等因素的共同作用下，就会形成较大尖峰，通过第一级电流切换支路和第二级电流切换支路实现分级限流切断负载，使得电流突变量降低，进而减小电流突变带来的电压尖峰，使得尖峰电压降低，使BMS保护板的MOSFET工作在其额定耐压以内，提高了系统的可靠性。

另外，由于分级切换导通和关断的电流，因此本技术方案可降低对主开关管Q1和主开关管Q2的瞬间电流要求，可以给主回路的N沟道MOSFET选型带了很大的瞬间电流裕量，有利于降低选型成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种BMS控制的分级负载切换的电路图；

图2为一种BMS控制的分级负载切换的工作流程图。

具体实施方式