[实用新型]一种可控硅隔离驱动电路有效

专利信息
申请号: 202221721042.0 申请日: 2022-07-05
公开(公告)号: CN217643324U 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 杨传全;何志明;田杰 申请(专利权)人: 广东贝磁电子科技有限公司
主分类号: H03K17/79 分类号: H03K17/79
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 刘露露
地址: 528300 广东省佛山市顺德区容桂街道办事处容*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 可控硅 隔离 驱动 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种可控硅隔离驱动电路,包括可控硅、三极管和光耦,所述可控硅包括A1脚、A2脚和G脚,所述A1脚与A2脚之间连接有电阻R1和电容C1,所述G脚的一端连接有电阻R3,所述电阻R3的一端连接有电阻R4;本实用新型通过三极管与光耦的配合组成可控硅的隔离电路,利用直流电来驱动可控硅,使可控硅工作在1‑‑3象限,可控硅在交流电的每个周期G极都有电流流过且可控硅一直处于导通状态,不需要每个交流周期都触发一次,确保可控硅在非常接近过零点时就可以达到擎柱电流,即交流电的每个过零周期可控硅都是在零点导通,故可以减小对电网的干扰,从而实现电路简单,成本低的低干扰隔离可控硅驱动。

技术领域

本实用新型涉及可控硅隔离驱动电路技术领域,具体为一种可控硅隔离驱动电路。

背景技术

目前可控硅驱动多采用MOC3021光耦隔离驱动或非隔离交直流驱动,此类驱动方案方案简单,成本低,而MOC3021光耦隔离驱动可控硅时,可控硅在交流电的每个过零点都会关断和导通,从而会对电网造成一定的干扰,即EMC性能较差。需要一定的EMC器件来滤除些干扰,可控硅驱动负载功率较小时干扰影响不易体现出来,但随着负载功率的增加,一些干扰的影响就会逐渐体现出来,非隔离交直流驱动可控硅的缺点是驱动部分带强电不隔离,因此我们需要提出一种可控硅隔离驱动电路来解决上述存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控硅隔离驱动电路,通过三极管与光耦的配合组成可控硅的隔离电路,利用直流电来驱动可控硅,使可控硅工作在A2脚、G脚象限,可控硅在交流电的每个周期G极都有电流流过且可控硅一直处于导通状态,不需要每个交流周期都触发一次,确保可控硅在非常接近过零点时就可以达到擎柱电流,即交流电的每个过零周期可控硅都是在零点导通,故可以减小对电网的干扰,以解决背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种可控硅隔离驱动电路,包括可控硅、三极管和光耦,所述可控硅包括A1脚、A2脚和G脚,所述A1脚与A2脚之间连接有电阻R1和电容C1,所述G脚的一端连接有电阻R3,所述电阻R3的一端连接有电阻R4,所述电阻R4的一端与三极管的一端连接,所述三极管的另外两端均与光耦电性连接,所述光耦的一端连接负载。

优选的,所述A1脚的一端与电阻R1的一端连接有+DC直流电源,所述电阻R1与电容C1串联。

优选的,所述G脚的一端连接有电阻R2,所述电阻R3的一端连接有电容C3,所述电容C3的一端与电阻R2的一端连接,且所述电容C3的一端与电阻R2的连接端接5V电源。

优选的,所述电阻R2与电阻R3并联,所述电容C3的另一端位于电阻R3与电阻R4之间。

优选的,所述三极管另外两端之间连接有电阻R5,所述电阻R5的一端与三极管其中一端连接,所述电阻R5的一端与三极管其中一端的连接处接地。

优选的,所述光耦设置为PC817光耦或EL817光耦,所述光耦包括C脚、E脚、A脚和K脚,所述A脚的一端连接有电阻R6,所述电阻R6的一端接负载,所述K脚的一端接地,所述E脚和C脚的一端分别与三极管的其中两端连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型通过三极管与光耦的配合组成可控硅的隔离电路,利用直流电来驱动可控硅,使可控硅工作在A2脚、G脚象限,可控硅在交流电的每个周期G极都有电流流过且可控硅一直处于导通状态,不需要每个交流周期都触发一次,确保可控硅在非常接近过零点时就可以达到擎柱电流,即交流电的每个过零周期可控硅都是在零点导通,故可以减小对电网的干扰,从而实现电路简单,成本低的低干扰隔离可控硅驱动。

附图说明

图1为本实用新型的系统框图;

图2为本实用新型的电路图。

具体实施方式

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