[实用新型]一种深紫外LED封装结构

权利要求书

1.一种深紫外LED封装结构，其包括基板(7)和位于所述基板(7)上方的深紫外LED芯片(4)，其特征在于，还包括连接在所述基板(7)和深紫外LED芯片(4)之间的导热填料(5)、分别位于所述导热填料(5)两侧且与所述导热填料(5)连接的第一固晶键合层(61)和第二固晶键合层(62)、贯穿所述基板(7)且与所述第一固晶键合层(61)连接的第一金属互连层(81)、贯穿所述基板(7)且与所述导热填料(5)连接的第二金属互连层(82)、贯穿所述基板(7)且与所述第二固晶键合层(62)连接的第三金属互连层(83)、位于所述基板(7)上的盖板(1)、连接所述基板(7)和盖板(1)之间的粘结剂(2)以及反射层(3)；其中所述盖板(1)内具有内部空间，所述深紫外LED芯片(4)位于所述盖板(1)的内部空间内，所述反射层(3)镀在所述盖板(1)的内部空间的侧壁上；所述反射层(3)位于所述深紫外LED芯片(4)的侧边，所述深紫外LED芯片的紫外光通过所述反射层反射到所述深紫外LED芯片的正前方。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述粘结剂(2)位于反射层(3)的外侧。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述盖板(1)与基板(7)之间具有空隙，所述粘结剂(2)充满所述盖板(1)与基板(7)之间的空隙。

4.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述深紫外LED芯片(4)均位于导热填料(5)、第一固晶键合层(61)和第二固晶键合层(62)上。

5.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述深紫外LED芯片(4)为倒装结构芯片。

6.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述反射层(3)与所述基板(7)的夹角为50°-70°。

7.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述基板(7)上设有贯穿孔，所述第一金属互连层(81)、第二金属互连层(82)和第三金属互连层(83)通过对应的贯穿孔至所述基板的上表面和下表面。

8.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述导热填料(5)为还原氧化石墨烯硅胶。

9.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述基板(7)为陶瓷基板，所述盖板(1)的材料是石英玻璃。

10.根据权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于，所述第一金属互连层(81)、所述第二金属互连层(82)和所述第三金属互连层(83)的材料均为铜。