[实用新型]用于cob的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种用于cob的封装结构，包括陶瓷基板、设于所述陶瓷基板一侧表面上的金属热沉，以及设于所述陶瓷基板的另一侧表面上的功率器件；所述陶瓷基板朝向所述金属热沉的一面上设有导热凸起，所述金属热沉与所述导热凸起对应处设有与所述导热凸起匹配的凹槽，所述凹槽与所述导热凸起的相对面之间设有间隙；所述陶瓷基板与所述金属热沉的接触面之间开设有导热槽；所述导热槽和所述间隙内均填充有导热界面材料。本实用新型所述封装结构避免了大量包括导热硅胶在内的导热界面材料，缩减了所述导热界面材料的使用量，提升了所述封装结构的导热效率，简化了生产工艺，降低了生产成本，提高了存储及运输的便捷性及装配效率。

技术领域

本实用新型涉及cob封装技术领域，特别是涉及一种用于cob的封装结构。

背景技术

将陶瓷基板用于cob封装基板时，通常需在陶瓷基板的表面涂覆导热材料，用以弥补陶瓷基板表面在成型过程中形成的细小缝隙、凹穴或凸起等结构缺陷，提升陶瓷基板的导热效果。目前，导热材料大多选用导热硅脂。由于导热硅脂在常温下呈液态，导致涂覆工艺的工序繁杂、生产成本高；且包含有导热硅脂的封装基板的储存要求高、运输不便，与功率器件的装配效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决上述问题，提供一种用于cob的封装结构，所述封装基板的导热效率好、生产工艺简单、生产成本低、存储及运输方便且装配效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案，如下所述：

一种用于cob的封装结构，包括陶瓷基板、设于所述陶瓷基板一侧表面上的金属热沉，以及设于所述陶瓷基板的另一侧表面上的功率器件；所述陶瓷基板朝向所述金属热沉的一面上设有导热凸起，所述金属热沉与所述导热凸起对应处设有与所述导热凸起匹配的凹槽，所述凹槽与所述导热凸起的相对面之间设有间隙；所述间隙内填充有导热界面材料。

优选地，所述导热凸起以所述功率器件投影区域的中心为圆心沿径向呈放射状分布；所述导热凸起的制备原料包括规整排列的纳米碳纤维或纳米晶须。

优选地，所述导热凸起的厚度为1-10μm，所述导热凸起的宽度为所述陶瓷基板厚度的0.5-2倍；所述间隙的厚度为1-3μm。

优选地，所述导热凸起设于所述陶瓷基板的表面或部分嵌设于所述陶瓷基板。

优选地，所述陶瓷基板与所述金属热沉的接触面之间开设有导热槽；所述导热槽内亦填充有导热界面材料；所述导热槽沿厚度方向的截面呈梯形，所述导热槽开设于所述陶瓷基板上、或所述导热槽开设于所述金属热沉上、或所述导热槽两端的槽底分别延伸至所述陶瓷基板和所述金属热沉。

进一步优选地，当所述导热槽开设于所述陶瓷基板上或所述导热槽两端的槽底分别延伸至所述陶瓷基板和所述金属热沉时，所述导热槽位于所述陶瓷基板部分的深度不大于所述陶瓷基板厚度的三分之二；当所述导热槽开设于所述金属热沉上或所述导热槽两端的槽底分别延伸至所述陶瓷基板和所述金属热沉时，所述导热槽位于所述金属热沉部分的深度为1-10μm。

优选地，所述陶瓷基板的表面设有缓冲层，所述导热凸起设于所述缓冲层上，所述缓冲层的厚度为1-3μm。

进一步优选地，所述缓冲层为多孔陶瓷缓冲层，所述缓冲层的孔隙率为15-20％。

优选地，所述导热界面材料包括导热硅脂、银浆或锡膏。

优选地，两相邻的功率器件之间设有散热体，且所述散热体避让于所述功率器件。

本实用新型的有益效果至少包括：