[实用新型]一种腔体和生长设备

说明书

本实用新型实施例提供了一种腔体和生长设备，属于金刚石生长相关技术领域，构成腔体的组成部分包括：反应腔；安装座，所述安装座位于所述反应腔的下方，所述安装座和所述反应腔之间设有密封圈，且所述安装座内设有一冷却通道，所述冷却通道可对所述密封圈进行降温；达到在反应过程中反应腔不易泄露的技术效果。

技术领域

本实用新型涉及金刚石生长相关技术领域，尤其涉及一种腔体和生长设备。

背景技术

目前人工合成金刚石的方法有高温高压法(HTHP)，直流电弧等离子体喷射法(DCAPJ)，热丝化学气相沉积法(HFCVD)，微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)，其中MPCVD是制备高品质金刚石膜的首选方法。这是由于微波激发的等离子可控性好，等离子密度高，无电极污染等一系列优点。

现有技术中，在金刚石生长过程中，一般反应腔中温度较高。反应腔处于工艺温度的情况下，传到石英腔底座的热量过高，继而传导到密封圈的热量过高，导致密封圈过度受热损坏。此外在反应过程中反应腔容易泄露。

所以，现有技术的技术问题在于：在反应过程中反应腔容易泄露。

实用新型内容

本申请实施例提供一种腔体和生长设备，解决了现有技术中在反应过程中反应腔容易泄露的技术问题；达到在反应过程中反应腔不易泄露的技术效果。

本申请实施例提供一种腔体，构成腔体的组成部分包括：反应腔；安装座，所述安装座位于所述反应腔的下方，所述安装座和所述反应腔之间设有密封圈，且所述安装座内设有一冷却通道，所述冷却通道可对所述密封圈进行降温。

作为优选，所述反应腔的上端面连接有微波组件，所述微波组件用于产生反应需要的等离子体，所述反应腔和所述微波组件之间设有第一密封圈，所述第一密封圈连接有连接槽，所述第一密封圈和所述连接槽对应设置在所述微波组件以及所述反应腔中，且所述连接槽可防止所述第一密封圈掉落。

作为优选，所述反应腔的外侧连接有罩体，所述罩体和所述安装座密封连接，且所述罩体和所述安装座构成一容纳腔，所述罩体连接有冷却组件，通过冷却组件可以对反应腔的外部进行冷却。

作为优选，所述罩体设有贯穿内外表面的通孔，所述通孔包括：第一通孔，所述第一通孔用于所述反应腔的散热；第二通孔，所述第二通孔的直径大于所述第一通孔的直径，所述第二通孔便于借助外界设备实时检测反应腔，所述第一通孔和所述第二通孔均有若干组。

作为优选，所述罩体和所述安装座之间设有第一屏蔽条，以使得容纳腔处于微波状态。

作为优选，所述罩体本身接缝处以及所述安装座本身接缝处均设有第二屏蔽条，以使得容纳腔处于微波状态。

作为优选，所述安装座的表面设有凹槽，所述密封圈位于所述凹槽中，所述密封圈包括：第二密封圈，所述第二密封圈与所述反应腔连接；第三密封圈，所述第三密封圈与所述反应腔连接，所述第二密封圈和所述第三密封圈分别构造出两个密封方向，且两个密封方向错开设置。

作为优选，所述第二密封圈的水平方向和所述第三密封圈的水平方向或者斜向上方向接触，且所述第二密封圈的上下两接触面分别连接所述反应腔的底部以及所述安装座，所述第三密封圈的上下两接触面分别连接所述反应腔的底部以及所述安装座。

作为优选，所述第二密封圈为橡胶密封圈，所述第三密封圈为O形橡胶圈。

一种生长设备，包括：反应腔，所述反应腔为以上提及的任一项所述的反应腔；基台组件；升降组件，所述升降组件和所述基台组件连接，且所述升降组件带动所述基台组件在所述反应腔内升降。

本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：