[实用新型]一种带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路

权利要求书

1.一种带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，包括偏置高压发生电路(1)以及与所述偏置高压发生电路(1)连接的温度补偿电路(2)，所述偏置高压发生电路(1)和所述温度补偿电路(2)分别连接电源电压VCC，并经所述偏置高压发生电路(1)输出满足雪崩二极管在整个工作温度范围内的最大反向偏置高压要求的电压VH1，经所述温度补偿电路(2)输出电压VH2和偏置电压VBIAS，所述温度补偿电路(2)包括反向偏置高压监控电路(21)、温度补偿参考电压发生电路(22)、放电降压电路(23)以及运算放大器U1，所述反向偏置高压监控电路(21)与所述运算放大器U1的正相输入端连接，在所述运算放大器U1的正相输入端形成Vref+电压，所述温度补偿参考电压发生电路(22)与所述运算放大器U1的反相输入端连接，在所述运算放大器U1的反相输入端形成Vref-电压，所述运算放大器U1的输出端与所述放电降压电路(23)连接，所述放电降压电路(23)与电压VH2和偏置电压VBIAS的电压输出端连接。

2.根据权利要求1所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，所述反向偏置高压监控电路(21)包括电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5以及可变电阻VR1，电阻R2、可变电阻VR1、电阻R3串联接地，电阻R2另一端接电源电压VCC，电阻R4和电阻R5串联，电阻R4另一端与偏置电压VBIAS的电压输出端连接，电阻R5另一端与可变电阻VR1的滑动端连接，所述运算放大器U1的正相输入端连接在电阻R4和电阻R5之间。

3.根据权利要求2所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，所述温度补偿参考电压发生电路(22)包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、二极管D2以及电容C3，电阻R6和电阻R7串联，电阻R7另一端接地，电阻R6另一端一方面与所述运算放大器U1的反相输入端连接，另一方面经并联的电阻R8和电容C3与所述运算放大器U1的输出端连接，二极管D2的正极接电源电压VCC，负极接在电阻R6和电阻R7之间。

4.根据权利要求3所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，电阻R8的电阻阻值与电阻R4的电阻阻值相同，电阻R6和电阻R7的电阻阻值之合与电阻R2、电阻R3、电阻R5以及可变电阻VR1的等效电阻阻值相近。

5.根据权利要求1所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，所述放电降压电路(23)包括晶体管Q2和电阻R9，晶体管Q2的基极与所述运算放大器U1的输出端连接，晶体管Q2的集电极与电压VH2和偏置电压VBIAS的电压输出端连接，晶体管Q2的发射极与电阻R9连接，电阻R9另一端接地。

6.根据权利要求1所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，所述偏置高压发生电路(1)包括晶体管Q1、电容C1、功率电感L1、二极管D1以及电容C2，功率电感L1一端与电源电压VCC连接并经电容C1接地，功率电感L1另一端与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极一方面经电容C2接地，另一方面与电压VH1、电压VH2和偏置电压VBIAS的电压输出端连接，晶体管Q1的基极连接PWM驱动信号，晶体管Q1的集电极连接在功率电感L1和二极管D1之间，晶体管Q1的发射极接地。

7.根据权利要求6所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，电压VH1的电压输出端与电压VH2的电压输出端之间连接有电阻R1。

8.根据权利要求3所述的带温度补偿的雪崩二极管偏置高压电路，其特征在于，在温度发生变化时，二极管D2的正向导通电压变化值为ΔD2，电压VH2的变化值为ΔVH2，电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8以及可变电阻VR1的电阻阻值满足条件：ΔD2/ΔVH2＝二极管D2的温度系数/雪崩二极管的温度系数。