[实用新型]改善动态EVM的电路系统

权利要求书

1.一种改善动态EVM的电路系统，其主要应用于WiFi射频的前端芯片，用以改善WiFi射频的前端芯片的动态EVM，其主要包括射频通道与主控芯片，所述主控芯片用以采集、获取所述射频通道的温度、功率信息，并根据获取的信息动态调节所述射频通道的静态偏置电流；其中射频通道包括，三级放大器，每一级放大器的输入端均设置有偏置单元，且每个所述偏置单元均与所述主控芯片连接，主控芯片控制偏置单元为对应的放大器提供偏置电流；其特征在于，所述射频通道还包括功率检测单元，所述功率检测单元检测所述第三级放大器输出信号的功率，将检测结果输入所述主控芯片，以供所述主控芯片调节所述射频通道的静态偏置电流；所述功率检测单元包括第一晶体管、小功率检波子单元及大功率检波子单元，小功率检波子单元、大功率检波子单元分别接收第三级所述放大器输出的信号，所述小功率检波子单元对输入信号进行小功率检波以形成第一线性区域，所述大功率检波子单元对输入信号进行大功率检波以形成第二线性区域，所述第一晶体管的基极分别与所述小功率检波子单元的输出端、所述大功率检波子单元的输出端连接，以对所述小功率检波子单元与大功率检波子单元的输出进行叠加以形成连续的线性区域；所述第一晶体管的发射极与主控芯片连接，其集电极与电源连接。

2.如权利要求1所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述小功率检波子单元包括第二晶体管、耦合电路及偏置电路，所述耦合电路将第三级所述放大器输出信号的小功率部分耦合至所述小功率检波子单元，并将耦合后的信号输入所述第二晶体管，所述第二晶体管将输入的信号整流后形成电压信号输出至所述第一晶体管；所述偏置电路与所述第二晶体管的基极连接，以为所述第二晶体管提供偏置电流。

3.如权利要求2所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述耦合电路包括第一电容与第二电容，所述第一电容的一端与第三级放大器的输出端连接，其另一端与所述第二电容的一端、所述偏置电路共同连接，所述第二电容的另一端接地。

4.如权利要求3所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第三晶体管，所述第一电阻的一端与所述第一电容的另一端、所述第三晶体管的集电极、所述第二电阻的一端及所述第三电阻的一端共同连接，所述第一电阻的另一端与所述大功率检波子单元连接；所述第二电阻的另一端与所述第三晶体管的基极连接，所述第三晶体管的发射极接地，所述第三电阻的另一端与第二晶体管的基极连接。

5.如权利要求4所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述小功率检波子单元还包括第三电容，所述第三电容一端与所述第二晶体管的基极连接，其另一端接地。

6.如权利要求5所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述大功率检波子单元具有与所述小功率检波子单元完全相同的结构特征。

7.如权利要求5所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，所述小功率检波子单元的个数大于或等于1，所述大功率检波子单元的个数大于或等于1。

8.如权利要求4所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，还包括第一防静电子电路与第二防静电子电路，所述第一防静电子电路与所述第一晶体管的发射极连接，所述第二防静电子电路与所述第一晶体管的集电极连接。

9.如权利要求8所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，还包括第四电阻与第五电阻，所述第四电阻的一端与所述第一电阻的另一端连接，另一端与所述第一晶体管的基极连接；所述第五电阻一端与所述第一晶体管的发射极连接，另一端与所述第一防静电子电路连接。

10.如权利要求9所述的改善动态EVM的电路系统，其特征在于，还包括第四电容，所述第四电容的一端与所述第一晶体管的集电极连接，其另一端接地。