[实用新型]光伏电池

说明书

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池，包括：基底，含氧层，位于所述基底的一侧；氮氧化硅层，位于所述含氧层远离所述基底的一侧；含氮层，位于所述氮氧化硅层远离所述含氧层的一侧，其中，所述氮氧化硅层包括靠近所述含氧层的富氧区以及靠近所述含氮层的富氮区。本申请实施例至少有利于提高含氮层的膜层均匀性，降低含氮层自身的内应力以及降低含氧层、氮氧化硅层以及含氮层三者之间的接触应力。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种光伏电池。

背景技术

现有TOPCon(隧穿氧化层钝化接触，Tunnel Oxide Passivated Contact)电池，多采用氧化铝膜层/氮化硅叠层膜层作为表面钝化层材料，利用氧化铝膜层以及氮化硅膜层中富含的氢原子，对硅片表面的悬挂键进行化学钝化，同时通过氧化铝膜层界面处高浓度的固定负电荷，对硅片表面进行场效应钝化。

然而，随着硅片尺寸增大，通常在氧化铝膜层上方直接沉积高折射率的氮化硅膜层，容易造成膜层厚度均匀性及折射率均匀性下降，导致对硅片表面的中心区域与四周外围区域钝化效果不一致，影响电池的光电转换效率，且容易导致电池外观出现色差。

实用新型内容

本申请实施例提供一种光伏电池，本申请实施例至少有利于提高含氮层的膜层均匀性，降低含氮层自身的内应力以及降低含氧层、氮氧化硅层以及含氮层三者之间的接触应力。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种光伏电池，包括：基底，含氧层，位于所述基底的一侧；氮氧化硅层，位于所述含氧层远离所述基底的一侧；含氮层，位于所述氮氧化硅层远离所述含氧层的一侧，其中，所述氮氧化硅层包括靠近所述含氧层的富氧区以及靠近所述含氮层的富氮区。

在一些实施例中，所述光伏电池还包括：氧化硅层，所述氧化硅层位于所述基底和所述含氧层之间。

在一些实施例中，沿所述基底指向所述含氧层的方向上，所述氧化硅层的厚度范围为0.5nm～2.5nm，所述氧化硅层的折射率的范围为1.4～1.5。

在一些实施例中，沿所述基底指向所述含氧层的方向上，所述含氧层的厚度范围为2nm～10nm。

在一些实施例中，所述含氧层的折射率的范围为1.6～1.7。

在一些实施例中，沿所述基底指向所述含氧层的方向上，所述氮氧化硅层的厚度范围为0.5nm～5nm。

在一些实施例中，所述氮氧化硅层的折射率的范围为1.6～1.9。

在一些实施例中，沿所述基底指向所述含氧层的方向上，所述含氮层的厚度范围为70nm～110nm。

在一些实施例中，所述含氮层的折射率的范围为1.45～2.3。

在一些实施例中，沿所述基底指向所述含氧层的方向上，所述氮氧化硅层中的氮元素含量逐渐增加，且所述氮氧化硅层的折射率逐渐增加。

本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

氮氧化硅层位于含氧层和含氮层之间，有利于作为含氧层与含氮层之间的过渡层，有利于降低各个膜层之间的接触应力，且有利于提高含氮层的膜层均匀性以及降低含氮层自身的内应力。具体的，在形成富氮区的基础上形成含氮层时，富氮区中的氮原子含量较高，使得氮氧化硅层与含氮层相接触的表面处的氮原子易与含氮层表面处的原子成键，有利于形成膜层厚度更均匀的含氮层，且有利于使得氮原子均匀的分布在含氮层中，降低含氮层中的缺陷密度，以提高含氮层的膜层均匀性以及降低含氮层自身的内应力。