[实用新型]一种高纯三氯化硼的提纯装置

说明书

本发明公开了一种高纯三氯化硼的提纯装置，包一种高纯三氯化硼的提纯装置，包括原料罐、第一精馏塔、第二精馏塔和成品罐；所述第一精馏塔具有液相进口和气相出口，所述液相进口通过管道与所述原料罐连接；所述第二精馏塔具有气相进口和液相出口，所述气相进口通过管道与所述气相出口连接，所述液相出口通过管道与所述成品罐连接。本发明的提纯装置包括原料罐、两个精馏塔和成品罐，结构简单，工艺简单，在实际生产中操作性高，且能获得高纯度的三氯化硼，提纯效果好；同时，双精馏塔的运行能耗低，有效的节约了资源，降低了提纯成本。

技术领域

本发明涉及材料提纯技术领域，具体涉及一种高纯三氯化硼的提纯装置。

背景技术

在半导体芯片领域，三氯化硼(BCl3)是一种关键的原材料，由于其氯元素的占比高达3/4，而氯元素具有很强的腐蚀性，因此其作为刻蚀气体被广泛地应用于芯片制程中的刻蚀工艺步骤，比如可以刻蚀金属电极层，又如用于在图形化蓝宝石衬底中对氧化铝的刻蚀，通常氧化铝的化学性质非常稳定，不容易进行刻蚀的。

随着芯片尺寸的不断缩小，对于芯片工艺的条件控制也越来越精细，对于三氯化硼的纯度也提出了更高的要求，对于其中的杂质含量的上限也越来越严苛。只有使用高纯度的三氯化硼，也就是要求三氯化硼的纯度达到6N 以上，才能保证芯片制程的可控。要让三氯化硼达到足够的纯度，最关键是要去除其中有害的、最难去掉的杂质。

目前，现有技术中，三氯化硼的提纯装置，结构复杂，工艺流程繁琐。

发明内容

本发明的发明目的是提供一种高纯三氯化硼的提纯装置，结构简单，工艺简单。

为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：一种高纯三氯化硼的提纯装置，包括原料罐、第一精馏塔、第二精馏塔和成品罐；所述第一精馏塔具有液相进口和气相出口，所述液相进口通过管道与所述原料罐连接；所述第二精馏塔具有气相进口和液相出口，所述气相进口通过管道与所述气相出口连接，所述液相出口通过管道与所述成品罐连接。

进一步地，在所述液相进口与所述原料罐连接的管道上设置有过滤器和流量计。

进一步地，在所述气相进口与所述气相出口连接的管道上设置有调节阀。

进一步地，所述第一精馏塔包括塔釜、塔身、冷凝器和再沸器，所述塔釜、所述塔身和所述冷凝器自下而上依次连接，所述再沸器通过管道与所述塔釜连接；所述塔身内设置有塔板，所述塔板的数量为10-100。

进一步地，所述第二精馏塔包括塔釜、塔身、冷凝器和再沸器，所述塔釜、所述塔身和所述冷凝器自下而上依次连接，所述再沸器通过管道与所述塔釜连接；所述塔身内设置有塔板，所述塔板的数量为10-200。

进一步地，所述第一精馏塔和所述第二精馏塔为填料塔。

进一步地，所述原料罐和所述成品罐为钢瓶。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明的提纯装置包括原料罐、两个精馏塔和成品罐，结构简单，工艺简单，在实际生产中操作性高，且能获得高纯度的三氯化硼，提纯效果好；同时，双精馏塔的运行能耗低，有效的节约了资源，降低了提纯成本。

附图说明

图1为本发明的高纯三氯化硼的提纯装置的整体连接示意图；

图2是本发明的第一精馏塔2的结构示意图；

图3是本发明的第二精馏塔3的结构示意图；

图4是本发明高纯三氯化硼的提纯方法的流程图。

具体实施方式