[实用新型]一种钙钛矿/量子点叠层太阳能电池有效
申请号: | 202222014094.0 | 申请日: | 2022-08-01 |
公开(公告)号: | CN217933799U | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 陈炜;刘宗豪;蒋昭毅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人: | 王健 |
地址: | 436044 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 量子 点叠层 太阳能电池 | ||
1.一种钙钛矿/量子点叠层太阳能电池,其特征在于,包括从下向上依次层叠并串联设置的钙钛矿电池以及量子点电池,所述钙钛矿电池与所述量子点电池通过隧穿结连接或者机械堆叠,所述量子点电池中量子点光吸收层选自PbS层、PbSe层、PbTe层、PbS0.8Se0.2层、PbS0.8Te02层、CdS层、CdSe层、CdTe层、CdS0.8Se0.2层、CdS0.8Te0.2层、BiSe层、BiTe层、BiS0.8Se10.2层、BiS0.8Te0.2层或Pb0.9Bi0.1S0.8Se0.2层中一种。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿/量子点叠层太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池包括从下向上依次层叠设置的第一载流子传输层、钙钛矿光吸收层和第二载流子传输层;所述量子点电池包括从下向上依次层叠的第三载流子传输层、所述量子点光吸收层和第四载流子传输层;所述钙钛矿太阳能电池与所述量子点光吸收层通过隧穿结连接或者通过石蜡油层粘连堆叠;其中,所述第一载流子传输层和第三载流子传输层均为空穴传输层,且所述第二载流子传输层和第四载流子传输层均为电子传输层,或者,所述第一载流子传输层和所述第三载流子传输层均为电子传输层,且所述第二载流子传输层和所述第四载流子传输层均为空穴传输层。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿/量子点叠层太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿光吸收层选自MAPbI2.5Br0.5层、(FA0.83MA0.17)0.95Cs0.05Pb(I0.6Br0.4)3层、FA0.6Cs0.4Pb(I0.7Br0.3)3层、CsPbI3层、CsPbI2Br层、MAPb(Br0.2I0.8)3层、Cs0.2FA0.8Pb(I0.75Br0.25)3层、BA0.09(FA0.83Cs0.17)0.91Pb(I0.6Br0.4)3层、Rb0.05Cs0.095MA0.1425FA0.7125PbI2Br层、CsPbIBr2层或FA0.83Cs0.17Pb(I0.6Br0.4)3层中的一种。
4.根据权利要求2所述的钙钛矿/量子点叠层太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层选自PEDOT:PSS层、PTAA层、NiO层或PbS-EDT层中的一种,所述电子传输层选自ZnO层、SnO2层、TiO2层、C60层或PCBM层中的一种。
5.根据权利要求2所述的钙钛矿/量子点叠层太阳能电池,其特征在于,所述隧穿结为金属氧化物层或者有机半导体层中的一种,所述金属氧化物层选自氧化锡层、氧化钛层、氧化锌层、氧化镍层、氧化钨层、氧化钼层、氧化铟锡层、掺杂氧化锡层、掺杂氧化钛层、掺铝氧化锌层或掺锑氧化锡层中的一种,所述有机半导体层选自PEDOT:PSS层、PTAA层、P3HT层、PCBM层或C60层中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学,未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222014094.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的