[实用新型]面罩控制电路和面罩有效

专利信息
申请号: 202222015768.9 申请日: 2022-08-02
公开(公告)号: CN218735078U 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 胡吉飞;孟凡迪 申请(专利权)人: 深圳素士科技股份有限公司
主分类号: H05B45/325 分类号: H05B45/325;H05B45/50;H05B47/155
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 代理人: 宋捷
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 面罩 控制电路
【权利要求书】:

1.一种面罩控制电路,其特征在于,包括:

供电单元;

发光单元,用于发射脉冲光能量;

脉冲驱动单元,用于输出电压信号,以根据所述电压信号控制所述发光单元发射脉冲光能量;

可变阻抗单元,用于根据所述供电单元的电压改变自身阻值,以调节流经所述发光单元的电流。

2.根据权利要求1所述的面罩控制电路,其特征在于,所述脉冲驱动单元包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的漏极与所述发光单元的阴极连接,所述第一晶体管的源极与所述供电单元的负极连接;

微控制器,与所述第一晶体管的栅极连接,用于向所述第一晶体管的栅极输出电压信号。

3.根据权利要求2所述的面罩控制电路,其特征在于,所述电压信号包括低电平电压信号和高电平电压信号,所述微控制器输出低电平电压信号时,所述第一晶体管不导通,所述微控制器输出高电平电压信号时,所述第一晶体管导通。

4.根据权利要求2所述的面罩控制电路,其特征在于,所述第一晶体管为N型MOS管。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的面罩控制电路,其特征在于,所述可变阻抗单元包括:

第三晶体管,所述第三晶体管的第三管脚与所述供电单元的正极连接,所述第三晶体管的第二管脚和所述发光单元的输入端之间,所述第三晶体管的导通电阻能够根据所述供电单元的电压发生变化,以调节流经所述发光单元的电流。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的面罩控制电路,其特征在于,所述可变阻抗单元包括:

第一电阻单元,串联在所述供电单元和所述发光单元之间;

第二晶体管,所述第二晶体管的第一管脚连接在所述第一电阻单元和所述发光单元之间,所述第二晶体管的第二管脚与所述供电单元的正极连接,所述第二晶体管的第三管脚通过第二电阻单元与所述供电单元的负极连接或所述第二晶体管的第三管脚通过第二电阻单元与所述发光单元的阴极相连;

所述第二电阻单元,所述第二电阻单元串联于所述第二晶体管的第三管脚与所述供电单元之间,或所述第二电阻单元串联于所述第二晶体管的第三管脚与所述发光单元的阴极之间;

第三晶体管,所述第三晶体管的第一管脚连接在所述第二晶体管的第三管脚和所述第二电阻单元之间,所述第三晶体管的第二管脚与所述发光单元的阳极连接,所述第三晶体管的第三管脚连接在所述第一电阻单元与所述第二晶体管的第一管脚之间,在所述第三晶体管的第二管脚和所述第三晶体管的第三管脚之间的电压差发生变化时,所述第三晶体管的导通阻值跟随所述电压差发生变化。

7.根据权利要求6所述的面罩控制电路,其特征在于,所述第二晶体管为PNP三极管或P型MOS管;或

所述第三晶体管为PNP三极管或P型MOS管。

8.根据权利要求2至4中任一项所述的面罩控制电路,其特征在于,所述微控制器输出脉冲宽度调制信号时,所述脉冲宽度调制信号的脉冲频率范围为0Khz-200Khz。

9.根据权利要求1所述的面罩控制电路,其特征在于,

所述供电单元包括电池组和与所述电池组串联的保护电路,所述供电单元的正级为所述电池组的正级,所述供电单元的负级为所述保护电路远离所述电池组的一端;或

所述供电单元包括电池组,所述供电单元的正级为所述电池组的正极,所述供电单元的负级为所述电池组的负极;

所述发光单元包括一个或多个灯珠,所述发光单元包括多个灯珠时,所述多个灯珠串联和/或并联。

10.一种面罩,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的面罩控制电路。

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