[实用新型]集成式碳化硅功率单元

权利要求书

1.一种集成式碳化硅功率单元，其特征在于，包括：

散热单元(D1)，其上表面与双面覆铜绝缘板(S1)下表面焊接；

双面覆铜绝缘板(S1)，其形成有碳化硅晶圆。

2.如权利要求1所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：双面覆铜绝缘板(S1)上表面形成以下电气结构；

第一负极覆铜面(S11)，形成在双面覆铜绝缘板(S1)上表面上部右侧；

第二负极覆铜面(S12)，形成在双面覆铜绝缘板(S1)上表面上部左侧；

正极覆铜面(S13)，形成在第一负极覆铜面(S11)和第二负极覆铜面(S12)之间的双面覆铜绝缘板(S1)上表面上部；

相输出覆铜面(S14)，形成在第一负极覆铜面(S11)、第二负极覆铜面(S12)和正极覆铜面(S13)下方的双面覆铜绝缘板(S1)上表面上；

低边驱动板(S15)，形成在相输出覆铜面(S14)下方的双面覆铜绝缘板(S1)上表面上；

高边驱动板(S16)，形成在正极覆铜面(S13)中部。

3.如权利要求2所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

第一负极输出端子(S111)，形成在第一负极覆铜面(S11)上部。

4.如权利要求2所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

第二负极输出端子(S121)，形成在第二负极覆铜面(S12)上部。

5.如权利要求2所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

第一正极输出端子(S131)，形成在正极覆铜面(S13)顶部左侧；

第二正极输出端子(S132)，形成在正极覆铜面(S13)顶部右侧；

高边碳化硅晶圆组(S133)，形成在高边驱动板(S16)下部的正极覆铜面(S13)上。

6.如权利要求5所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：高边碳化硅晶圆组(S133)包括N个晶圆并联组成，晶圆组中的每个晶圆的基极和发射极控制信号从晶圆表面通过打线连接至高边驱动板(S16)上的打线焊盘(S161)上，高边碳化硅晶圆组(S133)的每个晶圆的发射极还通过打线连接至相输出覆铜面(S14)，N≥2。

7.如权利要求2所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

高边驱动板(S16)包括:驱动电路、打线焊盘(S161)和PCB板(S162)；

驱动短路的驱动信号通过PCB走线连接至打线焊盘(S161)上。

8.如权利要求2所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

相输出端子(S141)，形成在相输出覆铜面(S14)中间；

第一低边晶圆组(S142)，形成在相输出覆铜面(S14)左侧；

第二低边晶圆组(S143)，形成在相输出覆铜面(S14)右侧。

9.如权利要求8所述的集成式碳化硅功率单元，其特征在于：

第一低边晶圆组(S142)与第二低边晶圆组(S143)由N/2个晶圆并联组成，晶圆组中的每个晶圆的基极和发射极控制信号从晶圆表面通过打线连接至低边驱动板(S15)上的打线焊盘(S161)上，每个晶圆的发射极还通过打线连接至第一负极覆铜面(S11)和第二负极覆铜面(S12)，晶圆的集电极通过正极覆铜面(S13)相连，N≥2。