[实用新型]一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET有效
| 申请号： | 202222048995.1 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN218215312U | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张瑜洁;张长沙;李佳帅;何佳 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 沟槽 碳化硅 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于：包括
碳化硅衬底，
漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有沟槽，所述沟槽内设有掩蔽层以及导电区；
夹断区，所述夹断区设于所述漂移层上侧面，且所述夹断区底面连接至所述导电区以及掩蔽层，夹断区内设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层底面连接至所述掩蔽层，所述夹断区上设有源区，所述源区的侧面连接至所述栅极绝缘层的一侧面；
栅极，所述栅极设于所述栅极绝缘层内；
源极金属层，所述源极金属层连接至所述夹断区以及源区；
栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；
以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底的下侧面。
2.如权利要求1所述的一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于：所述掩蔽层为P+型，所述导电区为N+型，所述源区为N型。
3.如权利要求1所述的一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于：所述夹断区为P型，所述夹断区的掺杂浓度小于源区的掺杂浓度，所述夹断区的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的一种非对称沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于：所述掩蔽层为L形，所述掩蔽层与导电区形成卡槽，所述栅极绝缘层的下部设于卡槽内。
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