[实用新型]一种高稳定性充电复位电路及电子产品有效
| 申请号： | 202222054313.8 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN217985028U | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘建飞 | 申请（专利权）人： | 北京吾星球科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;G06F1/26;G06F1/24 |
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| 地址： | 100080 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 充电 复位 电路 电子产品 | ||
1.一种高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述充电复位电路包括限流电阻R155、稳压二极管ZD1、滤波电容C624、耦合电容C623、限流电阻R133、抗干扰电阻R134、三极管Q100；所述限流电阻R155的一端与VBUS端口相连接，限流电阻R155的另一端分别与稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C624的一端、耦合电容C623的一端相连接，稳压二极管ZD1的阳极、GND端口、滤波电容C624的另一端均接地；耦合电容C623的另一端与限流电阻R133的一端相连接，限流电阻R133的另一端分别与三极管Q100的基极、抗干扰电阻R134的一端相连接，三极管Q100的集电极与单片机的复位引脚相连接，三极管Q100的发射极、抗干扰电阻R134的另一端均接地。
2.如权利要求1所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述限流电阻R155的阻值范围为100～2000Ω。
3.如权利要求2所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述稳压二极管ZD1的稳压范围为0.7～4.7V。
4.如权利要求3所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述滤波电容C624的电容值为1PF～10UF。
5.如权利要求4所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述耦合电容C623的电容范围为0.001～10UF。
6.如权利要求5所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述限流电阻R133的阻值范围为0.1～20000欧姆。
7.如权利要求6所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述抗干扰电阻R134的阻值范围为1000～470000欧姆。
8.如权利要求7所述的高稳定性充电复位电路，其特征在于：所述三极管Q100为NPN三极管。
9.一种电子产品，其特征在于：所述电子产品含有如权利要求1所述的高稳定性充电复位电路。
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