[实用新型]一种单晶炉有效
申请号: | 202222107237.2 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN218291179U | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 朱永刚;李侨;董升;曹杰;张伟建;白锋 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 | ||
本实用新型实施例提供了一种单晶炉,所述单晶炉包括炉体和传热组件,炉体用于单晶硅棒的生长;沿所述炉体的轴线方向,所述传热组件设置在所述炉体内,所述传热组件包括传热件;所述传热件用于与所述单晶硅棒接触,并传导所述单晶硅棒的热量。本实施例的单晶炉可快速降低单晶硅棒温度,使得拉晶速度可以进一步提高,并且单晶硅棒四周不会产生碰撞风险,因此,这种单晶炉能够兼具较高拉晶速度和较高拉晶质量。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅拉晶技术领域,特别是涉及一种单晶炉。
背景技术
随着光伏市场上产品需求的增加,拉晶工厂聚焦在提升单晶硅棒的产能上。
提升单晶硅棒的产能的一个途径便是提升拉晶速度来提高生产效率。目前主流的提升拉晶速度的方式便是,利用籽晶从单晶炉内的坩埚硅熔体中生长单晶硅棒,在单晶硅棒生长过程中,需要利用单晶炉内设置的水冷屏对其进行冷却,以提高单晶硅棒生长的纵向温度梯度,从而提高拉晶速度。这种非接触辐射换热结构可以形成固液界面的温度梯度,能够降低单晶硅棒温度,使拉晶速度最大提升至1.9mm/min。为了进一步提高拉晶速度,也尝试通过改变水冷屏结构使其尽可能靠近单晶硅棒。
然而,通过改变水冷屏结构对于拉晶速度的提升较为有限,且容易与单晶硅棒发生碰撞,导致断线甚至掉棒,出现拉晶缺陷甚至事故。因此亟需开发一种能实现更高拉晶速度且保证拉晶质量的单晶炉。
实用新型内容
本实用新型提供一种单晶炉,旨在解决现有单晶炉中的非接触辐射换热结构难以兼具较高拉晶速度和较高拉晶质量的问题。
本实用新型实施例提供了一种单晶炉,所述单晶炉包括炉体和传热组件,所述炉体用于单晶硅棒的生长;
沿所述炉体的轴线方向,所述传热组件设置在所述炉体内;
所述传热组件用于与所述单晶硅棒接触,并传导所述单晶硅棒的热量。
可选地,所述传热组件包括传热件,所述传热件包括穿设于所述炉体内的筒体;
所述筒体用于与所述单晶硅棒接触,并传导所述单晶硅棒的热量。
可选地,所述传热组件还包括导热件,所述导热件设置于所述传热件上和/或所述炉体的内表面。
可选地,所述导热件的材质包括碳碳材质、石墨材质和硅脂中任意一种。可选地,所述筒体的内径小于所述单晶硅棒的直径;
所述传热件还包括设置于所述筒体外表面的凸缘,所述凸缘沿所述筒体径向朝背离轴线的方向延伸,所述凸缘用于与所述炉体抵接配合;
所述单晶硅棒的头部与所述筒体的端部接触推动所述凸缘与所述炉体分离。
可选地,所述导热件固定于所述传热件的外表面,和/或,所述导热件固定于所述炉体的内表面。
可选地,所述传热件还包括压板;
所述凸缘设置于所述筒体的一端;
所述导热件沿所述凸缘的周向设置于所述凸缘背离所述筒体的表面,所述压板叠放于所述凸缘上以夹持固定所述导热件。
可选地,所述筒体的内径大于所述单晶硅棒的直径;
所述单晶硅棒穿过所述筒体,所述筒体将所述硅棒的热量传导至所述炉体。
可选地,所述筒体的内表面和外表面均设置有所述导热件;
所述筒体的内表面的导热件用于与所述单晶硅棒接触,所述筒体的外表面的导热件用于与所述炉体接触。
可选地,所述单晶炉还包括旋转组件;
所述旋转组件与所述炉体连接,所述旋转组件用于驱动所述传热件相对所述炉体转动。
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