[实用新型]具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及功率芯片有效
| 申请号： | 202222123173.5 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN218182218U | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;杨建;曹珂 | 申请（专利权）人： | 南京芯惠半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁区苏源*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 漂移 高压 pldmos 器件 功率 芯片 | ||
1.一种具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，包括：
P型衬底；
N型埋层，位于所述P型衬底上；
P型埋层，位于所述N型埋层上；
P型外延层，位于所述P型衬底、所述N型埋层、所述P型埋层上；
高压N型阱区、N型体区、P型阱区、P型缓冲层，分别位于所述P型外延层上；
第一阴极P型重掺杂区，位于所述P型阱区上并与漏极连接；
第二阴极P型重掺杂区，位于所述P型缓冲层上并与所述P型衬底连接；
位于所述N型体区上的阳极P型重掺杂区和阳极N型重掺杂区短接并与源极连接；
场效应氧化层，位于所述第一阴极P型重掺杂区和所述阳极P型重掺杂区之间；
多晶硅栅极，位于所述阳极P型重掺杂区与所述场效应氧化层之间区域上方，并与栅极连接。
2.根据权利要求1所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，
所述高压N型阱区，包括：第一高压N型阱区和第二高压N型阱区；
所述P型阱区，包括：第一P型阱区和第二P型阱区；
所述第一高压N型阱区，位于所述P型缓冲层和所述第一P型阱区之间；所述第二高压N型阱区位于所述第一P型阱区和所述第二P型阱区之间；
所述第一P型阱区，位于所述第一高压N型阱区和第二高压N型阱区之间；
所述第二P型阱区，位于所述第二高压N型阱区和所述N型体区之间。
3.根据权利要求2所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，所述P型埋层，其左边界与所述第一P型阱区左边界一致，其右边界与所述N型体区左边界一致。
4.根据权利要求2所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，所述N型埋层，其左边界与所述第一高压N型阱区左边界一致，其右边界与器件右边界一致。
5.根据权利要求1所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，所述P型埋层的厚度为1~2um。
6.根据权利要求2所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，其特征在于，所述第二P型阱区的宽度为6~8um。
7.一种功率芯片，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件。
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