[实用新型]增强低成本升压充电芯片充电电流调整能力的辅组电路

权利要求书

1.增强低成本升压充电芯片充电电流调整能力的辅组电路，包括升压充电芯片，所述升压充电芯片的逻辑电源输入引脚通过电阻R5与充电电压连接，所述升压充电芯片的地引脚接地，电容C3连接所述逻辑电源输入引脚和所述地引脚，二极管D1的阳极与所述升压充电芯片的升压电感输入引脚连接，阴极与所述升压充电芯片的内部升压输入引脚连接，线圈L1连接所述充电电压和所述升压电感输入引脚，充电电路中电阻R1的一端与升压充电芯片的电流控制脚连接，所述引脚内部升压输入通过电容C2接地，所述升压充电芯片的散热地-散热地引脚接地，所述升压充电芯片的充电电池-充电电池引脚通过电容C1接地，待充电电池并联在所述电容C1两端，所述升压充电芯片的电流控制脚通过电阻R1接地，其特征在于，所述电阻R1通过电阻R2接地，所述电阻R2两端并联有三极管Q1，所述三极管Q1的发射极与所述电阻R2接地的一端连接，集电极与所述电阻R2的另一端连接；所述三极管Q1的基极与电阻R3、电阻R4和NTC热敏电阻连接，所述电阻R3的另一端和所述NTC热敏电阻的另一端接地，所述电阻R41另一端与所述充电电压连接。

2.根据权利要求1所述增强低成本升压充电芯片充电电流调整能力的辅组电路，其特征在于，所述升压充电芯片的型号为CS5095E。

3.根据权利要求1所述增强低成本升压充电芯片充电电流调整能力的辅组电路，其特征在于，所述电阻R2的阻值为20KΩ，所述电阻R3的阻值为10KΩ，所述电阻R4的阻值为73KΩ，所述NTC热敏电阻的阻值为100kΩ。

4.根据权利要求3所述增强低成本升压充电芯片充电电流调整能力的辅组电路，其特征在于，所述三极管Q1的型号为S9013。