[实用新型]一种多层磁片防伪结构

权利要求书

1.一种多层磁片防伪结构，其特征在于至少在部分区域包括基材层和至少两部分磁片层，在XYZ坐标系中，所述基材层平行于XY平面；

沿Z轴的反方向，依次为第一磁片层、第二磁片层；

所述第一磁片层的磁片表面垂直于XY平面且平行于ZX平面；

所述第二磁片层的磁片表面垂直于ZX平面；

所述基材层位于所述第一磁片层的Z轴正方向侧，或在第一磁片层与第二磁片层之间，或所述第二磁片层的Z轴反方向侧。

2.根据权利要求1所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于还包括第三磁片层，沿Z轴的反方向，依次为第一磁片层、第二磁片层、第三磁片层，

所述第二磁片层的磁片表面垂直于ZX平面且与X方向成ɑ角；

所述第三磁片层的磁片表面垂直于ZX平面且与X方向成β角；

所述ɑ角与β角之间的角度设置能保证人眼在平行于ZX的平面内变角度观察，存在角度使得人眼可以穿过所述第二磁片层的磁片分布间隙看到所述第三磁片层的磁片表面；

所述基材层位于所述第一磁片层的Z轴正方向侧，或在第一磁片层与第二磁片层之间，或在第二磁片层与第三磁片层之间，或所述第三磁片层的Z轴反方向侧。

3.根据权利要求1或2所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于所述基材层排列在z轴反方向侧的第一层，所述基材层为不透明材料。

4.根据权利要求1或2所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于所述基材层排列在非z轴反方向侧的第一层，所述基材层为透明材料。

5.根据权利要求2所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于

│cos(ɑ)│＞│cos(β)│，且ɑ与β之间的夹角大于50°。

6.根据权利要求5所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于

(1)ɑ角为120°～170°；

(2)β角为70°～110°；

(3)第二磁片层的磁片排列间隔≥0.5×第二磁片层中的磁片直径×│cos(ɑ)│um；

(4)第三磁片层的磁片排列间隔≥0.5×第三磁片层中的磁片直径×│cos(β)│um。

7.根据权利要求1所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于所述磁片厚度为0.5～50um。

8.根据权利要求1所述的一种多层磁片防伪结构，其特征在于所述磁片直径为10～400um。