[实用新型]可控硅半导体器件

说明书

本实用新型公开一种可控硅半导体器件，包括：壳体、若干根引脚，所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，该散热片的上部开设有一散热孔，所述散热孔内安装有至少两根第一散热杆，所述散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆。本实用新型增大了器件的散热面积，还便于空气快速通过，从而提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。

技术领域

本实用新型涉及可控硅器件技术领域，尤其涉及一种可控硅半导体器件。

背景技术

电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。普通的三端封装可控硅采用半包形式，且散热片与可控硅的其中一脚相连通，通常与中间引线框架引脚连为一体的。

现有技术中，可控硅芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，但是可控硅在工作时会产生大量的热量，传统的可控硅散热效果差，热量在器件内堆积容易损坏可控硅上的元器件。为此，我们提出一种可控硅半导体器件。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种可控硅半导体器件，该可控硅半导体器件增大了器件的散热面积，还便于空气快速通过，从而提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种可控硅半导体器件，包括：壳体、若干根引脚，所述壳体顶部设置有一上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端；

所述第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，该散热片的上部开设有一散热孔，所述散热孔内安装有至少两根第一散热杆，所述散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述第一凹槽内固定安装有一固定框。

2. 上述方案中，所述固定框为磁铁框。

3. 上述方案中，所述定位杆为铁杆。

4. 上述方案中，所述第一散热杆相互交叉设置。

5. 上述方案中，所述第二散热杆包括连接杆和散热球。

6. 上述方案中，所述连接杆为金属弧形杆。

7. 上述方案中，所述引脚为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型可控硅半导体器件，其上表面具有若干个第一凹槽的上壳盖位于壳体顶部，第一凹槽可供一底部固定有定位杆的散热片嵌入安装，通过固定有定位杆的散热片嵌入第一凹槽中，可以将器件内部的热量传导至散热片，再通过若干散热片与流动的空气接触，增大了器件的散热面积，提高了整体的散热效率；进一步的，其散热片的上部开设有一散热孔，散热孔内安装有至少两根第一散热杆，散热片的两侧壁上各设置有一第二散热杆，使得一部分空气从散热孔流出，另一部从散热片两侧流过，便于空气快速通过散热片形成的高温区域，且在散热孔内设置第一散热杆、在散热片两侧设置第二散热杆，可以将散热片整体热量分散，从而提高了散热片的散热效率，提升了整体的散热效果，有效减少热量在器件内堆积导致元器件损坏的情况。

附图说明

附图1为本实用新型可控硅半导体器件的整体结构示意图；

附图2为本实用新型可控硅半导体器件的剖面正视图；

附图3为本实用新型附图2的A 处放大图；

附图4为本实用新型可控硅半导体器件的局部结构示意图。