[实用新型]大功率可控硅封装结构有效
申请号: | 202222196913.8 | 申请日: | 2022-08-21 |
公开(公告)号: | CN218525567U | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 唐兴军;王亚 | 申请(专利权)人: | 苏州兴锝电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/00 |
代理公司: | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人: | 姚昌胜 |
地址: | 215151 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 可控硅 封装 结构 | ||
1.一种大功率可控硅封装结构,包括:壳体(1)、引脚(2),其特征在于:所述壳体(1)顶部设置有一表面具有若干个凹槽(4)的上壳盖(3),该凹槽(4)可供一散热片(5)嵌入安装,与壳体(1)内部电路连接的引脚(2)位于壳体(1)与上壳盖(3)形成的封装体一端;
在所述上壳盖(3)的上表面且沿凹槽(4)周向设置有一第一密封圈(6),该第一密封圈(6)具有一密封凸环(7),所述散热片(5)的底部外壁固定套装有一第二密封圈(8),该第二密封圈(8)相对于第一密封圈(6)的一侧设置有一可供密封凸环(7)嵌入的环形槽(9)。
2.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装结构,其特征在于:所述密封凸环(7)的两侧安装有一定位软块(10)。
3.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装结构,其特征在于:所述密封凸环(7)的内径大于散热片(5)的外径。
4.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装结构,其特征在于:所述第一密封圈(6)、第二密封圈(8)均为橡胶圈。
5.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装结构,其特征在于:所述引脚(2)为三根,分别为栅极电极(11)、阳极电极(12)、阴极电极(13)。
6.根据权利要求1所述的大功率可控硅封装结构,其特征在于:在所述壳体(1)相背于引脚(2)的一侧延伸设置有一散热板(14)。
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