[实用新型]一种基于NMOS管的防反接电路

说明书

本实用新型公开一种基于NMOS管的防反接电路，包括：NMOS管Q1、NPN三极管Q2、PNP三极管Q3、驱动电路和升压电路；NMOS管Q1的源极与电源输入端电连接，其漏极分别与驱动电路的输入端和升压电路的输入端电连接，其栅极与PNP三极管Q3的集电极电连接，驱动电路的输出端和升压电路的输出端分别与负载电连接；NPN三极管Q2的基极与电源输入端电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极接地；PNP三极管Q3的基极与NPN三极管Q2的集电极电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极与驱动输入端电连接，驱动输入端的电压值为升压电路的输出端的电压值。本实用新型利用升压电路输出的高电压驱动NMOS管Q1，NMOS管价格低廉，功耗较低，大大降低了损耗。

技术领域

本实用新型属于电子电路技术领域，具体涉及一种基于NMOS管的防反接电路。

背景技术

为了防止电源输入时的误操作，会在电源单元中设置防反接电路。当电源反接时阻止电源回路导通，从而保护负载。

目前防反接电路主要包括以下两种。

第一种是基于肖特基二极管设计的电路，利用二极管的单向导电性来实现防反接保护，但是输入大电流的情况下，二极管对电路的功耗影响是非常大的，造成电路效率低下、发热量增加，大大缩短了电路元器件的使用寿命。

第二重是基于PMOS管设计的电路，利用PMOS管的开关特性来实现防反接保护，但是，PMOS管的成本高，内阻较大，功耗也较大。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出了一种基于NMOS管的防反接电路。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种基于NMOS管的防反接电路，包括：NMOS管Q1、NPN三极管Q2、PNP三极管Q3、驱动电路和升压电路；

NMOS管Q1的源极与电源输入端电连接，其漏极分别与驱动电路的输入端和升压电路的输入端电连接，其栅极与PNP三极管Q3的集电极电连接，驱动电路的输出端和升压电路的输出端分别与负载电连接；

NPN三极管Q2的基极与电源输入端电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极接地；

PNP三极管Q3的基极与NPN三极管Q2的集电极电连接，其集电极与PNP三极管Q3的基极电连接，其发射极与驱动输入端电连接，驱动输入端的电压值为升压电路的输出端的电压值。

在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：

作为优选的方案，防反接电路还包括：储能电路，NMOS管Q1的漏极通过储能电路与升压电路的输入端电连接。

作为优选的方案，储能电路与升压电路的连接端还通过MOS管Q4与驱动电路电连接，驱动电路控制MOS管的开关。

作为优选的方案，升压电路包括：肖特基二极管D2、电容D2和电阻R2，电容D2和电阻R2串联后再与肖特基二极管D2并联设置。

作为优选的方案，电源输入端设有浪涌保护器，浪涌保护器的一端与电源输入端电连接，其另一端接地。

作为优选的方案，电源输入端设有过滤电路，过滤电路包括：并联设置的过滤电容C1和电阻R1，过滤电路的一端与电源输入端电连接，其另一端接地。

作为优选的方案，驱动输入端设有调压电路，调压电路包括：并联设置的电容C3和齐纳二极管D1，调压电路的一端与驱动输入端电连接，其另一端接地。

作为优选的方案，NMOS管Q1的漏极通过电感L2与驱动电路的输入端电连接。

作为优选的方案，NMOS管Q1的漏极通过一个或多个并联设置的电容接地。