[实用新型]磷光体集成的基于激光的光源及表面安装器件

权利要求书

1.一种磷光体集成的基于激光的光源，包括：

封装基底；

激光二极管芯片，耦接到所述封装基底，所述激光二极管芯片包括含镓和氮的材料，并且被配置为从输出刻面输出电磁辐射的激光束；所述激光二极管芯片被配置为发射处于第一波长的电磁辐射；

导热材料，耦接到所述封装基底并且布置在所述封装基底上紧邻所述激光二极管芯片，所述导热材料具有反射顶表面；

光学透明材料，耦接到所述导热材料的所述反射顶表面，其中，一凹槽在所述导热材料的一部分和所述光学透明材料的一部分之间延伸，所述凹槽与所述激光二极管芯片对准以从所述激光二极管芯片接收所述电磁辐射；

波长转换材料，耦接到所述光学透明材料并且被配置为接收发射到所述凹槽中并透射通过所述光学透明材料的所述电磁辐射的至少一部分，所述波长转换材料被配置为将所述激光束中的所述电磁辐射的至少一部分的第一波长转换为长于所述第一波长的第二波长；以及

反射材料，围绕所述光学透明材料和所述波长转换材料的侧部，所述反射材料被配置为反射入射在所述光学透明材料和所述波长转换材料的所述侧部上的所述电磁辐射的部分，其中，所述波长转换材料被配置为从顶表面发射光，所述光包括具有所述第一波长的第一部分和具有所述第二波长的第二部分。

2.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述凹槽包括具有多边形形状的部分。

3.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述凹槽形成在所述导热材料的顶部中，并且从所述导热材料的侧表面延伸，所述凹槽在向上方向上朝向所述光学透明材料反射所述电磁辐射的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述导热材料包括硅(Si)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、蓝宝石、陶瓷氮化铝(AlN)、陶瓷氧化铝(Al₂O₃)、陶瓷氮化硼(BN)、铝(Al)或铜(Cu)。

5.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述凹槽形成在所述光学透明材料的底表面中，并且从所述光学透明材料的侧表面延伸。

6.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述光学透明材料包括单晶碳化硅、蓝宝石、金刚石、或者来自石榴石或尖晶石组的透明晶体。

7.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述电磁辐射处于范围从400nm到485nm的第一波长。

8.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，用反射涂层覆盖所述凹槽的侧部。

9.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述反射材料完全覆盖所述光学透明材料和所述波长转换材料的所述侧部。

10.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，从所述波长转换材料的所述顶表面发射的光是白光。

11.根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源，其特征在于，所述激光二极管芯片包括多个激光二极管芯片，每个所述激光二极管芯片耦接到所述封装基底并且与所述凹槽的一部分对准。

12.一种表面安装器件(SMD)，包括根据权利要求1所述的磷光体集成的基于激光的光源。