[实用新型]一种多芯片级联功耗差异消除装置

权利要求书

1.一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：包括功耗差异采集单元和功耗差异消除单元，所述的功耗差异采集单元与功耗差异消除单元均与MCU电连接，所述的功耗差异采集单元与功耗差异消除单元均与电池组电连接。

2.根据权利要求1所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述的功耗差异采集单元包括定值电阻R19、定值电阻R18、定值电阻R17、放大器U10、MCU、电池组A、三极管Q14、主动前端AFE2和第一用电器，电池组A正极与三极管Q14的集电极3相连，三极管Q14的基级1与主动前端AFE2相连，三极管Q14的发射极与第一用电器正极相连，主动前端AFE2通过IIC或SPI与MCU相连，用电器负极与主动前端AFE2负极均与定值电阻R19一端相连，R19另一端与电池组1负极和R18一端相连，R18另一端与放大器U10同相输入端相连，R18与放大器U10同相输入端之间并联定值电阻R17，所述R17另一端接地。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述的功耗差异采集单元还包括电池组B、三极管Q16、主动前端AFE1和第二用电器，电池组B正极与电池组A负极相连，R19与主动前端AFE2相连的一端与三极管Q16的集电极3相连，三极管Q16的基级1与主动前端AFE1相连，三极管Q16的发射极与主动前端AFE1相连，主动前端AFE1通过IIC或SPI与MCU相连，主动前端AFE1与第二用电器电连接，三极管Q16的集电极3与定值电阻R20一端相连，R20另一端与放大器U10反相输入端相连。

4.根据权利要求3所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述放大器U10输出端与MCU相连，放大器U10输出端与放大器U10反相输入端之间并联定值电阻R21，所述MCU与放大器U10正电源端相接，所述放大器U10负电源端接地，所述MCU接地。

5.根据权利要求1所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述的功耗差异消除单元包括MCU、定值电阻R16、定值电阻R22、三极管Q15、三极管Q17、电池组A和电池组B，电池组A与三极管Q15和定值电阻R16串联，电池组B与三极管Q17和定值电阻R22串联，所述电池组B负极接地。

6.根据权利要求5所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述MCU通过BALANCE1与三极管Q17电连接，通过BALANCE2与三极管Q15电连接。

7.根据权利要求2所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述第一用电器为隔离通讯中的磁隔离芯片。

8.根据权利要求3所述的一种多芯片级联功耗差异消除装置，其特征在于：所述第二用电器为温感检测装置，所述温感检测装置分别由二极管Q18和二极管Q19控制，并分别与定值电阻R36和定值电阻R39并联，电池组B负极与定值电阻R40串联，定值电阻R40与R36和二极管Q18并联，二极管Q19端点3与外部用电包相连。