[实用新型]具有提高闩锁能力的绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种具有提高闩锁能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管包括：主体区域、漂移区域及N型场终止FS区；

主体区域的上方设置有发射极以及栅极；所述N型FS区下方设置p型集电区，P型集电区的下方设置集电极；

在栅极区上方设置有栅极焊盘，位于栅极焊盘下方的所述发射极区与栅极区的比例大于1：1。

2.如权利要求1所述的具有提高闩锁能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，位于栅极焊盘下方的所述发射极区与栅极区的比例大于2：1。

3.如权利要求2所述的具有提高闩锁能力的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，位于栅极焊盘下方的所述发射极区的长度小于预设值。

4.如权利要求1-3中中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管为注入增强型绝缘栅双极型晶体管IGBT。

5.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。

6.如权利要求5所述的电力电子设备，其特征在于，所述电力电子设备包括变流器。

7.一种动力车，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管。

8.如权利要求7所述的动力车，其特征在于，所述动力车包括机车列车、电动汽车或混合动力电动汽车。