[实用新型]功率半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 202222296545.4 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN218482234U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/488;H01L23/31;H01L23/29;H01L23/15;H01L23/367;H01L23/10 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 结构 | ||
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于：包括：MOS芯片（1）、金属支撑片（2）、栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5），所述漏极引脚（4）由首尾连接的焊接条区（41）和引脚条区（42）组成，位于所述MOS芯片（1）上表面的栅极区（101）和源极区（102）分别通过第一金属线（61）和第二金属线（62）电连接到栅极引脚（3）和源极引脚（5）各自的焊接端；
位于所述MOS芯片（1）下表面的漏极区（103）通过导电焊膏层（7）与一陶瓷片（8）上表面连接，所述漏极引脚（4）的焊接条区（41）位于导电焊膏层（7）内，漏极引脚（4）的引脚条区（42）位于栅极引脚（3）和源极引脚（5）之间，位于所述陶瓷片（8）下表面的凸起块（81）嵌入金属支撑片（2）的贯通区（201）内；一环氧封装体（9）包覆于MOS芯片（1）、金属支撑片（2）和栅极引脚（3）、 漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端上。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述凸起块（81）的下表面与环氧封装体（9）的下表面齐平。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述漏极引脚（4）与栅极引脚（3）、源极引脚（5）位于同一平面上且栅极引脚（3）、源极引脚（5）在漏极引脚（4）两侧呈对称设置。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述第一金属线（61）、第二金属线（62）为铜金属线或者铝金属线。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于：所述栅极引脚（3）和源极引脚（5）的宽度为1~2mm。
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