[实用新型]功率MOS器件封装结构有效
| 申请号： | 202222296643.8 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN218482233U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/29;H01L23/13;H01L23/31;H01L23/15;H01L23/10;H01L23/367 |
| 代理公司： | 苏州科旭知识产权代理事务所(普通合伙) 32697 | 代理人： | 姚昌胜 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 封装 结构 | ||
1.一种功率MOS器件封装结构，其特征在于：包括：MOS芯片（1）、金属支撑片（2）、栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5），所述漏极引脚（4）由首尾连接的焊接条区（41）和引脚条区（42）组成，位于所述MOS芯片（1）上表面的栅极区（101）和源极区（102）分别通过第一金属线（61）和第二金属线（62）电连接到栅极引脚（3）和源极引脚（5）各自的焊接端，一环氧封装体（9）包覆于MOS芯片（1）、金属支撑片（2）和栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端上；
位于所述MOS芯片（1）下表面的漏极区（103）通过导电焊膏层（7）与一陶瓷片（8）上表面连接，所述漏极引脚（4）的焊接条区（41）位于导电焊膏层（7）内，漏极引脚（4）的引脚条区（42）位于栅极引脚（3）和源极引脚（5）之间；
所述金属支撑片（2）进一步包括支撑子片（10）和外延伸子片（11），位于所述陶瓷片（8）下表面的凸起块（81）嵌入支撑子片（10）的贯通区（201）并从贯通区（201）内延伸出，所述金属支撑片（2）的外延伸子片（11）位于环氧封装体（9）外侧，所述陶瓷片（8）的凸起块（81）底面与环氧封装体（9）底面齐平，所述金属支撑片（2）的支撑子片（10）上表面和下表面分别设置有上凸点（121）和下凸点（122）。
2.根据权利要求1所述的功率MOS器件封装结构，其特征在于：所述外延伸子片（11）上开有一圆形通孔（111）。
3.根据权利要求1所述的功率MOS器件封装结构，其特征在于：所述支撑子片（10）和外延伸子片（11）的相邻区两侧均设置有一缺口槽（13）。
4.根据权利要求1所述的功率MOS器件封装结构，其特征在于：所述陶瓷片（8）的凸起块（81）形状为方形或者圆形。
5.根据权利要求1所述的功率MOS器件封装结构，其特征在于：所述栅极引脚（3）和源极引脚（5）的宽度为1~2mm。
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