[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置有效

专利信息
申请号: 202222326664.X 申请日: 2022-09-01
公开(公告)号: CN218089894U 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 罗振姣;张洁 申请(专利权)人: 湖南三安半导体有限责任公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 刘锋
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 生长 装置
【权利要求书】:

1.一种碳化硅单晶生长装置,其特征在于,包括加热容器、加热装置和金属网;

所述加热容器内部设有容置空间,所述容置空间底部用于装盛碳化硅原料,所述容置空间顶部设有籽晶粘接部;

加热装置围绕所述加热容器设置,所述加热装置用于加热所述加热容器;

所述金属网设于所述容置空间内部,且所述金属网用于设于所述容置空间内部碳化硅原料的上方;

所述金属网上对应籽晶粘接部的位置设置有盛放部,所述盛放部用于铺设碳化硅晶块料。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网上所述盛放部的面积与所述金属网的面积的比值取值范围为0.4-0.6。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述碳化硅晶块料的最大截面的面积取值范围为1cm2-2cm2

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网上形成多个网孔,所述网孔的孔径取值范围为0.1mm-1mm。

5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网上形成多个网孔,所述网孔呈圆形、三角形或方形。

6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网与所述容置空间底部的碳化硅原料之间形成间隔。

7.根据权利要求6所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网与所述容置空间底部的碳化硅原料之间的距离取值为3mm-5mm。

8.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述金属网的材质为钨、钼、钽、铌、铪、钛、锆或钒。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述盛放部凸设于所述金属网对应所述籽晶粘接部的位置,且所述盛放部围成供所述碳化硅晶块料铺设的容置区域。

10.根据权利要求1-8中任意一项所述的碳化硅单晶生长装置,其特征在于,所述加热装置包括保温外壳和坩埚;所述容置空间设于所述坩埚内,所述保温外壳包裹于所述坩埚外侧。

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