[实用新型]用于半导体行业的加热红外灯管结构及晶圆加热装置有效
申请号: | 202222327076.8 | 申请日: | 2022-08-31 |
公开(公告)号: | CN217955816U | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 韩高锋;戴建波 | 申请(专利权)人: | 无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B3/02 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 梁晓婷 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 行业 加热 红外 灯管 结构 装置 | ||
本实用新型的实施例提供了一种用于半导体行业的加热红外灯管结构及晶圆加热装置,涉及半导体行业晶圆加热机构领域。旨在改善晶圆加热不均匀的问题。用于半导体行业的加热红外灯管结构包括多根主加热灯管以及多根辅加热灯管,多根主加热灯管并排设置,多根主加热灯管用于对晶圆进行加热;多根辅加热灯管设置多根主加热灯管背离加热空间的一侧,至少部分辅加热灯管对应设置在多根主加热灯管的一端,且至少部分辅加热灯管与晶圆的边沿位置对应,以对晶圆的边沿位置进行加热。晶圆加热装置包括上述的结构。采用双层灯管加热,至少部分辅加热灯管对应晶圆的边沿设置,能够补偿晶圆边沿位置散热比较快的温度,实现对晶圆均匀加热。
技术领域
本实用新型涉及半导体行业晶圆加热机构领域,具体而言,涉及一种用于半导体行业的加热红外灯管结构及晶圆加热装置。
背景技术
红外线灯管,也叫红外线发热管灯管。是将钨丝伸入充气的石英管中构成。钨丝在交流电压作用下发热并加热石英管中的气体,由此产生红外线辐射。石英近红外、远红外灯采用透明或半透明石英玻璃作为灯管外壳可生产近红外线或远红外线辐射谱线。
在半导体行业经常会用到红外灯管加热,通过红外灯管发出短波红外线,辐射晶圆来达到升温的效果。现有的方案是采用单层灯管加热晶圆,其缺点是:晶圆有明显的温度梯度,晶圆加热不均匀,均匀性不是很理想。
实用新型内容
本实用新型的目的包括,例如,提供了一种用于半导体行业的加热红外灯管结构,其能够改善晶圆加热不均匀的问题。
本实用新型的目的还包括,提供了一种晶圆加热装置,其能够改善晶圆加热不均匀的问题。
本实用新型的实施例可以这样实现:
本实用新型的实施例提供了一种用于半导体行业的加热红外灯管结构,包括多根主加热灯管以及多根辅加热灯管:所述多根主加热灯管并排设置,且所述多根主加热灯管的同一侧形成用于加热晶圆的加热空间;所述多根辅加热灯管设置所述多根主加热灯管背离所述加热空间的一侧,所述多根辅加热灯管并排设置,至少部分所述辅加热灯管对应设置在所述多根主加热灯管的一端,且至少部分所述辅加热灯管与所述晶圆的边沿位置对应,以对所述晶圆的边沿位置进行加热。
另外,本实用新型的实施例提供的用于半导体行业的加热红外灯管结构还可以具有如下附加的技术特征:
可选地,所述多根辅加热灯管分为第一辅灯组以及第二辅灯组;所述第一辅灯组以及所述第二辅灯组分别对应设置在所述多根主加热灯管的两端,且所述第一辅灯组以及所述第二辅灯组分别与所述晶圆位置相对的边沿位置对应。
可选地,所述多根主加热灯管的中心线所在的平面与所述多根辅加热灯管的中心线所在的平面平行。
可选地,所述多根主加热灯管并排间隔设置,任意相邻的两根所述主加热灯管之间的距离相等;所述多根辅加热灯管并排间隔设置,所述第一辅灯组中的任意相邻的两根所述辅加热灯管之间的距离相等,所述第二辅灯组中的任意相邻的两根所述辅加热灯管之间的距离相等。
可选地,所述多根辅加热灯管相对所述多根主加热灯管呈夹角设置。
可选地,任意相邻的两根所述主加热灯管与位置对应的相邻的两根所述辅加热灯管之间围成呈四边形的加热区域;所述多根辅加热灯管与所述多根主加热灯管围成多个阵列分布的所述加热区域。
可选地,所述多根辅加热灯管相对所述多根主加热灯管呈直角设置。
可选地,所述第一辅灯组包括三根间隔设置的所述辅加热灯管,所述第二辅灯组包括三根间隔设置的所述辅加热灯管。
可选地,位于最外侧的两根所述主加热灯管之间的距离大于或者等于所述晶圆的直径。
本实用新型的实施例还提供了一种晶圆加热装置。所述晶圆加热装置包括用于半导体行业的加热红外灯管结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造