[实用新型]沉积设备及镀膜系统有效
申请号: | 202222351147.8 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN218089794U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 郭玉雷;张武;林佳继;刘群 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/54 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 214192 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 设备 镀膜 系统 | ||
本实用新型公开了一种沉积设备及镀膜系统,该沉积设备包括反应室、特气系统、真空系统和射频系统,反应室为间隔设置的多个,特气系统为至少一个且与多个反应室的进气口分别相连以朝向反应室内输出特气,真空系统为至少一个且与多个反应室的抽真空口分别相连以对多个反应室抽真空,射频系统为至少一个且与多个反应室分别相连以对多个反应室放电,该沉积设备的产能较高。
技术领域
本实用新型涉及镀膜技术领域,尤其涉及一种沉积设备及镀膜系统。
背景技术
气相沉积技术是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,等离子体能够在基片上沉积出所期望的薄膜。现有光伏领域的沉积设备采用单反应室方案,从而使得沉积设备的产能较低。
实用新型内容
本实用新型的第一个目的在于提出一种沉积设备,该沉积设备的产能较高。
本实用新型的第二个目的在于提出一种镀膜系统,该镀膜系统的产能较高。
为实现上述技术效果,本实用新型的技术方案如下:
本实用新型公共了一种沉积设备,包括:反应室,所述反应室为间隔设置的多个;特气系统,所述特气系统为至少一个,且与多个所述反应室的进气口分别相连以朝向所述反应室内输出特气;真空系统,所述真空系统为至少一个,且与多个所述反应室的抽真空口分别相连以对多个所述反应室抽真空;射频系统,所述射频系统为至少一个,且与多个所述反应室分别相连以对多个所述反应室放电。
在一些实施例中,所述反应室包括炉体以及下述至少一种:所述炉体的两端敞开设置;承载管,所述承载管设在所述炉体内,所述承载管用于承载石墨舟;炉门,所述炉门可开合地设在所述炉体的一端,且所述炉门上设有进气口;封闭法兰,所述封闭法兰设在所述炉体的另一端,所述封闭法兰上设有所述抽真空口。
在一些具体的实施例中,所述承载管的截面为圆形,承载管的截面直径D和承载管的长度L满足关系式:4≤L/D≤6。
在一些实施例中,所述特气系统包括进气管和连接气管以及下述至少一种:所述进气管的一端与特气源相连;连接气管,所述连接气管连接在所述进气管的另一端上;分支气管,所述分支气管为多个,且每个所述分支气管的一端与所述连接气管相连,另一端与所述进气口相连。
在一些具体的实施例中,所述特气系统还包括设在所述进气管上的流量计。
在一些更具体的实施例中,所述特气系统还包括设在所述进气管上且位于所述流量计两侧的手动隔膜阀和自动隔膜阀。
在一些实施例中,所述真空系统包括真空泵和控制阀组以及下述至少一种:所述控制阀组包括蝶阀和角阀;连接组件,所述连接组件的一端分别与多个所述抽真空口相连,另一端与所述控制阀组相连。
在一些具体的实施例中,所述连接组件包括主管道和分支管道,以及下述至少一种:所述主管道的一端通过尺寸逐渐变小的变径管道与所述控制阀组相连;分支管道,所述分支管道的一端与所述主管道的另一端相连;转接头,所述转接头的一端与所述抽真空口相连,另一端通过波纹管与所述分支管道的另一端相连。
在一些实施例中,所述射频系统包括射频电源和同轴电缆线,所述同轴电缆线的一端与所述射频电源相连,所述同轴电缆线的另一端的多个分支分别与多个所述反应室相连以对多个所述反应室放电。
本实用新型还公开了一种镀膜系统,包括前文所述的沉积设备。
本实用新型的沉积设备的有益效果:由于沉积设备包括多个反应室,这样在实际工作过程中多个反应室同时工作,从而大大提升沉积设备的产能。
本实用新型的镀膜系统的有益效果,由于具有前文所述的沉积设备,该镀膜系统的能耗较低,产能较高。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的