[实用新型]一种半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：底座(11)、半导体制冷器(1121)、壳体(16)和激光芯片(12)；

所述激光芯片(12)设于所述壳体(16)内，所述半导体制冷器(1121)具有相对的热端和冷端，所述半导体制冷器(1121)的热端与所述底座(11)相连，所述壳体(16)安装于所述半导体制冷器(1121)的冷端上，所述底座(11)的热膨胀系数小于所述壳体(16)的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述壳体(16)和所述底座(11)之间形成有隔热间隙。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座(11)上设有上端开口的凹槽(112)，所述半导体制冷器(1121)嵌入所述凹槽(112)，所述半导体制冷器(1121)的热端与所述凹槽(112)的底壁相接，所述壳体(16)位于所述半导体制冷器(1121)的上侧，并压合于所述半导体制冷器(1121)的冷端上；

所述隔热间隙包括第一间隙(13)，所述凹槽(112)开口端边缘的表面与所述壳体(16)底面之间形成所述第一间隙(13)。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座(11)内开设有安装槽(111)，所述安装槽(111)的底壁向下凹陷形成所述凹槽(112)；

所述壳体(16)设于所述安装槽(111)内，所述安装槽(111)的底壁与所述壳体(16)的底壁之间形成所述第一间隙(13)。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述隔热间隙还包括第二间隙(14)；

所述壳体(16)的外侧壁与所述安装槽(111)的内侧壁之间形成所述第二间隙(14)。

6.根据权利要求2至5任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述隔热间隙内设有隔热层(141)。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其特征在于，所述隔热层(141)为气凝胶层。

8.根据权利要求1至5任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座(11)的下端设有散热通道(151)，所述散热通道(151)对应所述半导体制冷器(1121)的热端设置。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座(11)下侧设有多个散热柱(15)，多个所述散热柱(15)在底座(11)下侧的外壁面上间隔设置，相邻两个所述散热柱(15)之间形成所述散热通道(151)。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，所述底座(11)的下端设有内凹区，所述散热柱(15)设于所述内凹区内，且所述散热柱(15)的下端面与所述底座(11)的下端面平齐。