[实用新型]一种晶圆加工装置有效
申请号: | 202222398258.4 | 申请日: | 2022-09-09 |
公开(公告)号: | CN218241805U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 崔建华;陈天宇 | 申请(专利权)人: | 珠海东辉半导体装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 珠海得全知识产权代理事务所(普通合伙) 44947 | 代理人: | 赵学超 |
地址: | 519080 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加工 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆加工装置,其特征在于,包括:基座;放置平台,设置在基座上,放置平台用于放置晶圆,放置平台开设有让位部,让位部位于晶圆下方;升降压板,可升降设置在基座上,升降压板下方设置有压圈,升降压板能够带动压圈下压,使得压圈将晶圆的边缘压在放置平台上;固定组件,设置在升降压板上,固定组件能够可拆卸地固定晶圆;加工装置,设置在基座上,加工装置位于吸附板下方;应用上述装置能够保证晶圆正常加工的同时减少升降机构的数量。
技术领域
本实用新型涉及芯片生产制造领域,特别是涉及一种晶圆加工装置。
背景技术
现有晶圆主要为晶圆的正面为电路面,晶圆背面为支撑面,在加工过程或者搬运过程中,电路面不能被接触从而导致电路面被污染,所以晶圆背打工艺为正面电路面为朝上,用于定位,支撑面为加工面朝下,用于激光标记,所以加工的台面需要露出晶圆的背面,导致晶圆放置在加工台面后,中间会凹陷,影响加工精度。
为此,现有技术提出一种晶圆平整方式,采用真空吸附板抵接晶圆下表面,为晶圆提供支撑,减少晶圆中间部分的凹陷;在该种方式当中,需要多套独立的升降驱动机构分别控制压圈的升降和真空吸附板的升降,增加了设备成本和设备占用空间。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种晶圆加工装置,能够减少升降机构的数量。
本实用新型的晶圆加工装置,其特征在于,包括:基座;放置平台,设置在所述基座上,所述放置平台用于放置晶圆,所述放置平台开设有让位部,所述让位部位于所述晶圆下方;升降压板,可升降设置在所述基座上,所述升降压板下方设置有压圈,所述升降压板能够带动所述压圈下压,使得所述压圈将所述晶圆的边缘压在所述放置平台上;固定组件,设置在所述升降压板上,所述固定组件能够可拆卸地固定所述晶圆;加工装置,设置在所述基座上,所述加工装置位于所述让位部下方。
根据本实用新型的一些实施例,还包括设置在所述基座上的第二升降装置,所述第二升降装置用于带动所述升降压板升降。
根据本实用新型的一些实施例,还包括设置在所述放置平台上方的治具组件,所述晶圆放置在所述治具组件上方,所述固定组件能够可拆卸的固定所述治具组件。
根据本实用新型的一些实施例,所述固定组件包括设置在所述升降压板上的升降卡扣,所述治具组件上设置有凸台,所述升降卡扣能够相对于所述升降压板平移至卡持所述凸台。
根据本实用新型的一些实施例,晶圆加工装置还包括设置在所述升降压板上的平移装置,所述平移装置用于调节所述升降卡扣相对于所述升降压板上的平移位置。
根据本实用新型的一些实施例,晶圆加工装置还包括:吸附板,位于所述晶圆下方,当所述晶圆下降至第一位置时,所述吸附板贴附与于所述晶圆下表面,当所述晶圆上升至第二位置时,所述吸附板与所述晶圆的下表面分离,所述吸附板能够绕竖直方向的轴线转动;吸附装置,设置在所述基座上,所述吸附板能够与所述吸附装置连通,使得所述吸附装置能够为所述吸附板提供真空源。
根据本实用新型的一些实施例,所述吸附装置有多个,多个所述吸附装置分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置;所述吸附板能转动至与其中一个所述吸附装置连通。
根据本实用新型的一些实施例,晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的转动装置,所述转动装置能够驱动所述吸附板转动。
根据本实用新型的一些实施例,晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的转动盘,所述转动盘上设置有支撑部,所述支撑部用于支撑所述吸附板,所述转动装置用于驱动所述转动装置转动。
根据本实用新型的一些实施例,所述支撑部有多个,多个所述支撑部沿所述转动盘的周向分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造