[实用新型]一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路

说明书

本实用新型属于检测仪器技术领域，具体为一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接，所述温度传感器为单线数字输出型温度传感器M1820。给漂移管加入散热装置，减少仪器降温设定及稳定时间，提升仪器性能。本ELSD漂移管快速降温控制电路，就是为了让仪器的漂移管能快速从高温降温到低温设定值，从而提高仪器响应速度，更快进入设定工作状态的辅助工具。

技术领域

本实用新型涉及检测仪器技术领域，具体为一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路。

背景技术

ELSD仪器的检测样品需要合适的温度才能发挥出更灵敏的响应值或检测效果。所以ELSD仪器检测不同的样品需要给漂移管设定不同的温度，即要求仪器能快速响应样品的变化需求，快速设定并恒温到合适的漂移管温度值。市场上大部分ELSD仪器的漂移管降温采用自然散热方式，达到设定低温值时间较长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，以解决上述背景技术中提出的大部分ELSD仪器的漂移管降温采用自然散热方式，达到设定低温值时间较长的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：

DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；

所述N沟道MOSFET的输出端与DC5V风扇建立连接，所述DC5V风扇的出风口正对漂移管；

所述温度传感器贴附在漂移管上，所述温度传感器的输出端与MCU连接，所述MCU的输出i/o接口与N沟道MOSFET建立连接。

进一步地，所述温度传感器为单线数字输出型温度传感器M1820，温度传感器的局部感温：-70℃～150℃。

进一步地，所述N沟道MOSFET的漏源电压：20V，连续漏极电流：7.1A，功率(Pd)：1.4W。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

给漂移管加入散热装置，减少仪器降温设定及稳定时间，提升仪器性能。本ELSD漂移管快速降温控制电路，就是为了让仪器的漂移管能快速从高温降温到低温设定值，从而提高仪器响应速度，更快进入设定工作状态的辅助工具。

附图说明

图1为本实用新型的逻辑框图；

图2为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

实施例：

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种简单实用的ELSD漂移管快速降温控制电路，包括：

DC5V风扇、N沟道MOSFET、温度传感器和MCU；