[实用新型]半导体外延片有效
| 申请号： | 202222438845.1 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN218101270U | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 苏军 | 申请（专利权）人： | 远山新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人： | 葛玉彬 |
| 地址： | 272100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 | ||
【权利要求书】：
1.半导体外延片，其特征在于，包括：
蓝宝石衬底层；
缓冲层，其中所述缓冲层包括在所述蓝宝石衬底层上由近到远依次设置的溅射薄膜层、高温AlN缓冲层、AlGaN层和GaN层，其中所述GaN层的厚度为5nm～50nm；以及
GaN主体层，设置在所述GaN层上，其中所述GaN主体层的厚度为2000nm～4000nm。
2.如权利要求1所述半导体外延片，其特征在于，所述溅射薄膜层为AlN薄膜。
3.如权利要求2所述半导体外延片，其特征在于，所述溅射薄膜层的厚度为15nm～30nm。
4.如权利要求2或3所述半导体外延片，其特征在于，所述高温AlN缓冲层的厚度为10nm～30nm。
5.如权利要求4所述半导体外延片，其特征在于，所述AlGaN层的厚度为10nm～30nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于远山新材料科技有限公司，未经远山新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222438845.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于调节生化池液位的闸门装置
- 下一篇：单支架式前管组装治具
- 同类专利
- 专利分类
