[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括一半导体裸片，其中该半导体裸片包括：

多个金属内连线结构，位于多个内连线级介电材料层内；

多个接合垫，位于一最顶部内连线级介电材料层上且电性连接到多个所述金属内连线结构中的相应一者；

一介电钝化层，位于该最顶部内连线级介电材料层上，该介电钝化层阻挡氢和水分的扩散；以及

多个金属凸块结构，延伸穿过该介电钝化层且位于多个所述接合垫上，其中多个所述金属凸块结构的每一者包括一具轮廓的底面，包括与多个所述接合垫的相应一者的一顶面接触的一最底表面段、与穿过该介电钝化层的相应一开口的一锥形侧壁接触的一锥形底面表面段以及覆盖该介电钝化层且具有从一外周缘横向向内偏移一横向偏移距离的一内周缘的一环形表面段，该横向偏移距离是多个所述接合垫的相应下方一者的一宽度的至少8％。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该介电钝化层包括与该最顶部内连线级介电材料层接触的一水平延伸段、与多个所述接合垫的多个侧壁接触的多个垂直延伸段以及与多个所述接合垫的每一者的一顶面的一环形周缘部分接触的多个覆盖段。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括覆盖该介电钝化层的一覆盖介电材料层，其中多个所述金属凸块结构的每一者包括与穿过该覆盖介电材料层的相应一开口的一锥形侧壁接触的一附加锥形表面段。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该覆盖介电材料层包括一水平顶面，该水平顶面在未被多个所述金属凸块结构覆盖的多个区域上方延伸，其中多个所述金属凸块结构的每一者的该环形表面段与该覆盖介电材料层的相应一环形表面段接触，其中多个所述金属凸块结构的每一者包括一附加环形表面段，与覆盖在多个所述接合垫的相应一者上的该介电钝化层的一覆盖段的一顶面的相应一环形表面段接触。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述金属凸块结构的每一者的该环形表面段与该介电钝化层的相应一环形表面段接触。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿着垂直于该最顶部内连线级介电材料层的一顶面的一方向的一平面图中，多个所述金属凸块结构的每一者完全位于多个所述接合垫的相应下方一者的一区域内。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一含内连线结构，包括多个附加金属凸块结构且选自于一第二半导体裸片、一中介层或一封装基底，其中该半导体裸片的多个所述金属凸块结构通过多个焊料材料部分接合到该含内连线结构的多个所述附加金属凸块结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括一底部填充材料部分，与多个所述焊料材料部分、该半导体裸片的多个所述金属凸块结构和该含内连线结构的多个所述附加金属凸块结构接触。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括一第一半导体裸片和一含内连线结构，其中该第一半导体裸片包括：

多个第一金属内连线结构，位于多个第一内连线级介电材料层内；

多个第一接合垫，位于一最顶部第一内连线级介电材料层上且电性连接到多个所述第一金属内连线结构的相应一者；

一介电钝化层，位于该最顶部第一内连线级介电材料层和多个所述第一接合垫上；以及

多个第一金属凸块结构，延伸穿过该介电钝化层并位于多个所述第一接合垫上，

其中：

多个所述第一金属凸块结构的每一者包括一具轮廓的底面，包括与多个所述第一接合垫的相应一者的一顶面接触的一最底面段，以及覆盖介电钝化层且具有从一外周缘横向向内偏移一横向偏移距离的一内周缘的一环形表面段，该横向偏移距离是多个所述第一接合垫的相应下方一者的一宽度的至少8％；

该含内连线结构包括多个第二金属凸块结构且选自于一第二半导体裸片、一中介层或一封装基底；以及

多个所述第一金属凸块结构通过多个焊料材料部分与多个所述第二金属凸块结构接合。