[实用新型]一种基于MOS管的过压保护电路有效
申请号: | 202222455165.0 | 申请日: | 2022-09-16 |
公开(公告)号: | CN218449461U | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 刘川涛 | 申请(专利权)人: | 东莞汇钧科技有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/04;H02H11/00 |
代理公司: | 东莞市浩宇专利代理事务所(普通合伙) 44460 | 代理人: | 许王军 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mos 保护 电路 | ||
1.一种基于MOS管的过压保护电路,其特征在于:包括二极管D10、电阻R130、二极管D11、电阻R131、电阻R132、三极管Q1、电阻R133、三极管Q2、电阻R129、发光二极管、电容C114,所述二极管D10的输出端与所述电阻R130的输入端连接,所述电阻R130的输出端与所述二极管D11的输出端连接,所述二极管D11的输入端接地,所述电阻R132的输入端与所述电阻R130的输出端连接,所述电阻R132的输出端与所述三极管Q2的B极连接,所述三极管Q2的C极与所述三极管Q1的D极连接,所述三极管Q2的E极通过所述电阻R133接地,所述三极管Q1的G极通过所述电阻R133接地,所述三极管Q1的S极与所述电阻R129的输入端连接,所述电阻R129的输出端与所述发光二极管输入端连接,所述发光二极管的输出端接地,所述三极管Q1的S极通过所述电容C114接地,所述三极管Q1的S极外接于24V直流电。
2.根据权利要求1所述的一种基于MOS管的过压保护电路,其特征在于:所述发光二极管为LED灯。
3.根据权利要求1所述的一种基于MOS管的过压保护电路,其特征在于:所述二极管D10的输入端外接有输入接口。
4.根据权利要求1所述的一种基于MOS管的过压保护电路,其特征在于:所述三极管Q1的型号为IRF1010ES,所述三极管Q2的型号为2SB1691。
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