[实用新型]电子管直耦放大器有效

专利信息
申请号: 202222499754.9 申请日: 2022-09-21
公开(公告)号: CN218734208U 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 梁建国 申请(专利权)人: 梁建国
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/181
代理公司: 山东智达联合专利代理事务所(普通合伙) 37303 代理人: 李晓伟
地址: 436000 湖北省鄂州市华*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 电子管 放大器
【说明书】:

实用新型公开了电子管直耦放大器,包括直接耦合电路和并联供电单元,所述直接耦合电路和并联供电单元连接。本电子管直耦放大器,两级以及两级以上的电子管音频放大电路采取“直接耦合”方案,全电路交流信号回路不设置电容通路,去掉电路中相关于交流信号通路的耦合电容以及阴极旁路电容。改传统的“串联供电”为“并联供电”。由于整体电路的音频电流回路无电容介入,避免了因电容“介质损耗角”形成的电位移与电场强度的相位差所产生的失真,以及由电容“容抗”形成的“低频衰减”。

技术领域

本实用新型涉及技术领域,具体为电子管直耦放大器。

背景技术

“电子管直耦放大器”(Direct-Coupled Tube Amplifier )是“电子管直接耦合音频放大器”的简称。由电子管“共阴极放大电路”衍生而成的交流放大器。现有技术“阻容耦合放大器”其特征是两级电路之间的交流信号传递必须经过“隔直流电容”到达下一级电路,由于电容介入,电容的“介质损耗角”(dielectric loss angle)将导致交流信号电位移与电场强度的相位差所产生的失真,以及由电容“容抗”(capacitive reactance)所导致的“低频衰减”(这就是“电子管音频放大器”主观评测总感觉“低音薄弱”的最重要的原因之一。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供电子管直耦放大器,具有的优点,解决了现有技术中的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:电子管直耦放大器,包括直接耦合电路和并联供电单元,所述直接耦合电路和并联供电单元连接。

优选的,所述直接耦合电路中的三极管V1的基极与音量电位器R1连接,三极管V1的阳极与三极管V2栅极和电阻R2连接,三极管V1发射阴极接电阻R3、电阻R4和电容C1的并联接口,电阻R3与电阻R10串联,电阻R2的另一端与并联供电单元相接;

所述三极管V2阳极串联电阻R5接并联供电单元和电阻R6的并联接口,三极管V2的阴极接电阻R7和三极管V3栅极的并联接口,三极管V3的阴极接电阻R8,三极管V3的阳极接电阻R9和耦合/倒向变压器T1初级线圈上端,耦合/倒向变压器T1初级线圈下端与并联供电单元相接。

优选的,所述并联供电单元包括滤波电容C2、电容C3、电容C4、电阻R11、电阻R12和电阻R13:

本电子管直耦放大器,两级以及两级以上的电子管音频放大电路采取“直接耦合”方案,全电路交流信号回路不设置电容通路,去掉电路中相关于交流信号通路的耦合电容以及阴极旁路电容。改传统的“串联供电”为“并联供电”。由于整体电路的音频电流回路无电容介入,避免了因电容“介质损耗角”形成的电位移与电场强度的相位差所产生的失真,以及由电容“容抗”形成的“低频衰减”。

附图说明

图1为本实用新型的整体原理图。

图中:1、直接耦合电路;2、并联供电单元。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1,电子管直耦放大器,包括直接耦合电路1和并联供电单元2,直接耦合电路1和并联供电单元2连接。

直接耦合电路1中的三极管V1的基极与音量电位器R1连接,三极管V1的阳极与三极管V2栅极和电阻R2并联,三极管阴极负载电阻R3、电阻R4和电容C1的并联接口,电阻R3与电阻R10串联,电阻R2的另一端与并联供电单元2相接;

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