[实用新型]一种半导体工艺设备的反应腔室

说明书

本实用新型提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体工艺设备的反应腔室。

背景技术

在半导体工艺设备例如薄膜沉积的设备中，不同的化学薄膜沉积反应能够正常进行的一般条件需要设备中的反应腔室内在接近真空或惰性气氛下，达到300℃左右或更高温度，才能进行相应的化学反应。

然而，现有技术中半导体工艺设备的反应腔室中的腔体通常与外部环境直接接触，使得反应腔室内部的热量很容易散发出去，造成能量损失。与此同时，反应腔室散发的热量会使腔体外表面温度较高，容易对人员造成烫伤，给工艺操作带来不便。

因此，为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体工艺设备的反应腔室，通过减少反应腔室与外部环境的直接接触面积以及降低腔室结构的热传导率，来减少腔内热量向外扩散形成的能量损失，同时降低工艺设备最外层壳体的温度，避免对不小心接触到腔体或盖板的操作人员造成烫伤等危险。

实用新型内容

为了克服上述缺陷，本实用新型提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，在该外盖板和该外腔体上还开有孔洞用于外接抽气泵以对该空余空间抽真空。

在一实施例中，可选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该空余空间用于填充保温介质以对该内腔室进行保温隔热。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该内腔体和该内盖板的连接处与该外腔体和该外盖板的连接处位于同一平面，在该平面上沿该内腔室的外周还设有端面连接机构，该端面连接机构用于连接内外腔室并确保盖板连接处的密封。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该端面连接机构包括连接支架，该连接支架与内外腔室盖板连接处之间的形状紧密配合，该内盖板、该外盖板、该内腔体及该外腔体分别通过螺钉与该连接支架固定连接，该连接支架与该内盖板、该外盖板、该内腔室及该外腔室的接触面上还设有密封圈以确保连接密封，该内腔体与该内盖板的连接面上也设有密封圈。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该连接支架采用热导率低的隔热材料。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该通孔连接机构包括套设在该通孔外周的支撑套，该支撑套与内外腔室通孔位置之间的形状紧密配合，该内外腔室分别通过螺钉与该支撑套固定连接，该内外腔室与该支撑套的接触面上还均设有密封圈以确保连接密封。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该支撑套采用热导率低的隔热材料。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，在该内腔室内部设有举升加热装置和喷淋板，该举升加热装置通过贯穿该内腔体和该外腔体的通孔安装连接，该喷淋板顶部通过贯穿该内盖板和该外盖板的通孔外接工艺气体。

在一实施例中，优选地，在本实用新型提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该通孔还包括用于对该内腔室进行抽真空和排气的第一通孔。