[实用新型]硅漂移探测器的封装结构

权利要求书

1.一种硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，包括壳体，壳体形成有入射窗口，所述入射窗口嵌合有铍片，所述铍片用于放射线入射；在所述壳体的容置腔内还设置有：

硅漂移探测元件，第一表面与所述入射窗口对应设置；

准直器，与所述硅漂移探测元件连接，且设置于第一表面靠近所述入射窗口的一侧；

放大器，与所述硅漂移探测元件电连接，用于放大所述硅漂移探测元件的输出信号；

陶瓷基座，与所述硅漂移探测元件连接，设置于所述硅漂移探测元件远离所述准直器的一侧；其中，所述陶瓷基座的表面设置有至少两个凹槽，所述凹槽内嵌合有绝压传感器和/或温度传感器，所述绝压传感器和所述温度传感器用于向外界输出压力信号和温度信号；

制冷器，设置于所述陶瓷基座远离所述硅漂移探测元件的一端，且至少包括两层并联耦接的半导体制冷结构层；所述半导体制冷结构层与所述陶瓷基座远离所述硅漂移探测元件的一侧紧贴，以形成热传递结构。

2.根据权利要求1所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述准直器为准直圆环结构，且所述准直圆环结构的外环边设置有一个或多个缺口，所述缺口内设置有所述温度传感器或所述绝压传感器。

3.根据权利要求2所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述准直器靠近所述入射窗口的一侧还设置有隔热绝缘垫片，所述隔热绝缘垫片在硅漂移探测元件上的正投影面积小于或等于所述准直器在硅漂移探测元件上的正投影面积。

4.根据权利要求1-3任一项所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基座为氮化硼陶瓷基座或氮化硅陶瓷基座；所述硅漂移探测元件贴装于所述陶瓷基座的表面，且所述陶瓷基座的边缘还设有多个电极焊点，所述电极焊点与所述硅漂移探测元件和所述放大器电连接，且电极焊点还连接有引出线，所述引出线用于向外界输出信号，并提供所述硅漂移探测元件的工作电压。

5.根据权利要求4所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述绝压传感器和所述温度传感器的输出端通过所述电极焊点向外界输出压力信号和温度信号；

所述放大器包括场效应三极管，所述场效应三极管贴设于所述硅漂移探测元件的边缘，且所述场效应三极管的输入端与所述硅漂移探测元件的输出端耦接，所述场效应三极管的输出端与所述电极焊点耦接。

6.根据权利要求4所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基座的转角结构处设置所述凹槽，所述凹槽避让所述电极焊点设计。

7.根据权利要求4所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述电极焊点为金焊点；所述引出线为金引线。

8.根据权利要求7所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述壳体远离所述入射窗口的一端设置有壳体底座基板，所述壳体和所述壳体底座基板固定连接形成密封腔体，所述壳体底座基板上贯穿设置有引线柱，所述引线柱位于所述壳体内的部分与所述金引线固定连接，且所述引线柱与所述制冷器间隙设置；且所述壳体底座基板的外表面还设置有导热柱，所述导热柱设置于多根所述引线柱围绕的中部。

9.根据权利要求8所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述引线柱与所述壳体相交的部分填充烧结形成有玻璃釉结构层；所述引线柱套设有陶瓷管。

10.根据权利要求1所述的硅漂移探测器的封装结构，其特征在于，所述绝压传感器为硅绝压传感器，所述温度传感器为铂电阻温度传感器。