[实用新型]插指栅结构的HEMT射频器件

权利要求书

1.一种插指栅结构的HEMT射频器件，包括：

外延结构，包括沟道层和设置在沟道层上的势垒层；

与外延结构配合的源极、漏极、栅极和场板结构；

其特征在于，所述HEMT射频器件还包括：

第一凹槽，开设在所述势垒层内，并位于所述势垒层的栅极区域；

多个第二凹槽，多个所述第二凹槽间隔分布在所述势垒层的栅极区域内，且所述第二凹槽的槽口设置在所述第一凹槽的槽底面上；

所述栅极的至少一部分设置在所述第一凹槽和第二凹槽内，且所述栅极与第一凹槽及第二凹槽的槽壁之间均设置有栅介质层。

2.根据权利要求1所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述栅极凹槽包括一第一凹槽和多个第二凹槽，至少所述栅极的部分设置在一第一凹槽和多个第二凹槽内，从而使所述栅极形成插指状结构。

3.根据权利要求2所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述栅极包括相互连接的一第一栅极和多个第二栅极，所述第一栅极对应设置在所述第一凹槽内，多个所述第二栅极分别对应设置在多个所述第二凹槽内，多个所述第二栅极与一所述第一栅极为一体连接形成所述的插指状结构。

4.根据权利要求3所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述栅极填满所述栅极凹槽内部。

5.根据权利要求4所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第一栅极填满所述第一凹槽内部，所述第二栅极填满所述第二凹槽内部。

6.根据权利要求2或3所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第二凹槽设置在所述第一凹槽的侧壁和/或底部，每一所述第二凹槽的第二槽口的面积小于所述第二槽口所在的第一凹槽的侧壁或底部的面积。

7.根据权利要求2或3所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述外延结构包括沿第二方向叠层设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有载流子沟道，所述源极和漏极设置在所述第二半导体层上，所述栅极凹槽的全部设置在所述第二半导体层内，且在所述第二方向上，所述栅极凹槽的最大深度小于所述第二半导体层的厚度，其中，所述第二方向与第一方向交叉设置，所述第一方向为源极指向漏极的方向。

8.根据权利要求7所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第一半导体层和第二半导体层的材质均包括III-V族化合物。

9.根据权利要求7所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第二半导体层具有第一厚度，所述栅极凹槽的底部与第二半导体层靠近第一半导体层的表面之间具有第二厚度，所述第二厚度大于零而小于等于第一厚度的0.6倍。

10.根据权利要求9所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第一厚度和第二厚度之比为1：（0.2-0.4）。

11.根据权利要求9所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：在所述第二方向上，所述第一凹槽具有第一深度，设置在所述第一凹槽的底部的第二凹槽具有第二深度，所述第二深度小于等于第一深度。

12.根据权利要求11所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述第一深度和第二深度之比为（3-7）：（1-3）。

13.根据权利要求1所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述栅极与栅极凹槽之间还经介质层电性隔离。

14.根据权利要求13所述的插指栅结构的HEMT射频器件，其特征在于：所述介质层设置在所述第一凹槽、第二凹槽的侧壁和底部。