[实用新型]抗刻蚀密封圈

说明书

本实用新型涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。其中，一种抗刻蚀密封圈，包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。本实用新型提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆密封圈基材上增加抗刻蚀膜层，使得抗刻蚀密封圈在获得优秀的物理强度的同时，具备抗刻蚀能力。同时，通过调整抗刻蚀膜层的类型，使抗刻蚀密封圈获得抗氧或导电能力，进一步提高抗刻蚀密封圈的应用环境，增强了适应性。

技术领域

本实用新型涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。

背景技术

在半导体制造过程中，需要在半导体设备工作腔室内形成高真空，并充入氟、氯、溴等腐蚀性气体作为半导体元件的加工的环境。通常情况下，半导体设备工作腔室使用密封圈进行密封，同时采用gasket垫片进行接地填充。但是，随着加工的进行，密封圈被刻蚀，导致漏气，同时存在微粒污染的问题。

现在，半导体制备领域出现了金属密封圈及全氟密封圈的改进技术。当是金属密封圈仍存在被刻蚀后微粒污染腔体的问题。而全氟密封圈不仅成本高昂，而且抗刻蚀能力不够好，寿命延长不够久，导致生产成本大幅上升。

实用新型内容

为解决上述现有改进密封圈成本高、刻蚀能力不足的问题，本实用新型提供一种抗刻蚀密封圈，包括

本体，为环状结构，作为附着基材；

抗刻蚀膜层，附着于本体表面，抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。

在一实施例中，抗刻蚀膜层包括第一膜层及第二膜层，第一膜层设置于本体的正反两侧，第二膜层设置于第一膜层之间；第二膜层的厚度不大于第一膜层。

在一实施例中，第二膜层由与第一膜层接触位置向第二膜层中部厚度逐渐减小。

在一实施例中，第一膜层的厚度与第二膜层最薄处的厚度之比为1：0.6～ 1。

在一实施例中，本体为无涂覆密封圈。

在一实施例中，抗刻蚀膜层粗糙度为0.1～0.5um。

在一实施例中，抗刻蚀膜层为氧化物薄膜、二维薄膜或DLC薄膜中的任意一种。

优选的，抗刻蚀膜层为氧化物薄膜。

在一实施例中，氧化物薄膜的材料包括氧化铝、氧化钇及氧化硅中的任意一种或组合。

在一实施例中，二维薄膜的材料为二硫化钼、氮化硼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨或石墨烯中的任意一种。

在一实施例中，抗刻蚀膜层内还设有多个子膜层。

基于上述，与现有技术相比，本实用新型提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆密封圈基材上增加抗刻蚀膜层，使得抗刻蚀密封圈在获得优秀的物理强度的同时，具备抗刻蚀能力。同时，通过调整抗刻蚀膜层的类型，使抗刻蚀密封圈获得抗氧或导电能力，进一步提高抗刻蚀密封圈的应用环境，增强了适应性。

本实用新型的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。

图1为本实用新型一实施例的结构示意图；