[实用新型]一种带有识别对位标记的LTCC基板

说明书

本实用新型公开了一种带有识别对位标记的LTCC基板，LTCC基板上设置有若干个键合区域，LTCC基板由从上至下的N层生料带叠压烧结而成，每一层生料带上均设置有信号孔，且每一层生料带上均印刷有电路图形，其中，第一层生料带上设置有对位孔，对位孔靠近键合区域设置，第二层生料带上设置有焊盘，焊盘一一对应地设置于对位孔的正下方，且焊盘的尺寸大于对位孔的尺寸。本实用新型使得不需要额外增加工序，即可实现高精度的键合对位，对位标记还可以作为基板加工过程中的监测点，及时发现生产过程中的偏孔等问题，提高基板的良品率，焊盘作为电路图形的一部分，可以增大组件信号传输面积和强度，减少组件微波传输损耗，提高组件增益。

技术领域

本实用新型属于低温共烧陶瓷技术领域，具体涉及一种在芯片与LTCC基板组装过程中便于芯片与LTCC基板识别对位的带有识别对位标记的LTCC基板。

背景技术

低温共烧陶瓷(Low-temperature cofired ceramics，LTCC)技术是1982年由美国休斯公司基于高温共烧陶瓷（HTCC）开发出的新型共烧技术，用以提高大型计算机的运算速度和性能。所谓低温共烧陶瓷(LTCC)技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在900℃下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。低温共烧陶瓷技术中叠压烧结是公知方法，例如公开号为CN101301993A（名称为一种MEMS器件真空封装方法）、公开号为CN1477687A（名称为一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺）、公开号为CN101875481A（名称为一种基于低温共烧陶瓷的MEMS封装方法）、公开号为CN102573299A（名称为制备低温共烧陶瓷平整基板的方法）、公开号为CN104332413A（名称为一体化集成TR组件芯片的3D组装方法）的专利均对低温共烧陶瓷技术中叠压烧结方法进行了说明。低温共烧陶瓷（LTCC）工艺是指烧结温度低于1000℃下，采用Au、Ag或Cu等高电导率金属作为导体材料制作陶瓷基板的过程。由于烧结温度低，LTCC工艺与厚膜电阻、电容和电感制作工艺相兼容，因此可以把电阻、电容和电感以埋置的方式集成在多层基板中，使封装密度得以大幅度提高。低温共烧陶瓷（LTCC）技术采用的生瓷片具有介电常数低、损耗角正切值小、频率响应宽、厚度一致性好等特点，同时丝网印刷导体宽度和厚度的可控性佳、层数不受限制、可以预留空腔，有利于提高组装密度、实现微波信号的耦合和隔离等独特的技术优势。基于以上技术优势，LTCC基板被广泛应用于MCM多芯片组件中。

金丝/金带自动键合工序是MCM多芯片组件组装过程的关键工序之一，也是自动化程度较高的工序。自动键合需要采用CCD影像方式对待键合芯片和基板上相应的标记进行识别对位，以实现高精度键合。目前自动键合工序主要依靠LTCC基板上的印刷焊盘作为自动识别对位标记。由于LTCC基板焊盘制作采用的是金导体浆料印刷、烧结工艺制作的，精度较低，导致CCD获取的焊盘图像与标准图像相似度不高，因此自动识别对位的成功率较低，不能完全满足多芯片组件自动键合的需要。为了提高自动识别对位标记的精度，可以对LTCC基板焊盘进行激光修调，但是该方法需要增加额外的工序，导致周期延长、生产效率下降。

因此，现有技术存在的问题是：多芯片组件用LTCC基板自动识别对位标记的加工周期长，生产效率低，不能完全满足多芯片组件高精度键合的需要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种带有识别对位标记的LTCC基板，满足多芯片组件金丝/金带高精度键合识别对位的要求，缩短生产周期，提高生产效率。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：