[实用新型]单向高电压穿通瞬态电压抑制器件

权利要求书

1.一种单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：

第一层，所述第一层包括N+材料，所述第一层被形成在基板的第一主表面的第一部分上；

第二层，所述第二层从所述第一主表面的围绕所述第一层的第二部分延伸，并延伸到所述第一层下方，所述第二层包括N-材料；

第三层，所述第三层包括P+材料，其中，所述第二层被设置在所述第一层和所述第三层之间；以及

隔离区，所述隔离区从所述第一主表面延伸，并且围绕所述第二层设置。

2.根据权利要求1所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板包括P+基板，其中，所述第三层从所述基板的与所述第一主表面相对的第二主表面延伸。

3.根据权利要求1所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括P-外扩散区，其中，所述隔离区的外部部分围绕所述第二层的外围延伸，并且其中，包括P-材料的较低扩散区被设置在所述第三层和所述第二层之间。

4.根据权利要求1所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，还包括N+护环，所述N+护环从所述第一主表面延伸并且在所述第二层内围绕所述第一层设置。

5.根据权利要求4所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，还包括钝化结构，所述钝化结构被设置在所述第一主表面上，并延伸在所述隔离区、所述第二层、所述护环和所述第一层的至少一部分上方。

6.根据权利要求1所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括台面结构，所述台面结构延伸穿过所述第二层并进入所述第三层，并且其中，所述第二层被设置为与所述第三层直接相邻。

7.根据权利要求1所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括沟结构，所述沟结构延伸穿过所述第二层并进入所述第三层，并且其中，所述第二层被设置为与所述第三层直接相邻。

8.根据权利要求7所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板限定了一组侧表面，并且其中，所述沟结构不与所述一组侧表面相交。

9.一种单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：

第一层，所述第一层包括N+材料，所述第一层被形成在P+基板的第一主表面的第一部分上；

第二层，所述第二层从所述第一主表面的围绕所述第一层的一部分延伸，并延伸到所述第一层下方，所述第二层包括N-材料，其中，包括P+材料的第三层被形成，所述第三层在所述第二层下面延伸到所述P+基板的第二主表面；

N+护环，所述N+护环从所述第一主表面延伸，并在所述第二层内围绕所述第一层设置；以及

隔离区，所述隔离区从所述第一主表面延伸，并围绕所述第二层设置。

10.根据权利要求9所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括P-外扩散区，其中，所述隔离区的外部部分围绕所述第二层的外围延伸，并且其中，包括P-材料的较低扩散区被设置在所述第三层和所述第二层之间。

11.根据权利要求9所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，还包括钝化结构，所述钝化结构被设置在所述第一主表面上，并延伸在所述隔离区、所述第二层、所述护环和所述第一层的至少一部分上方。

12.根据权利要求9所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括台面结构，所述隔离区延伸穿过所述第二层并进入所述第三层，并且其中，所述第二层被设置为与所述第三层直接相邻。

13.根据权利要求9所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述隔离区包括沟结构，所述隔离区延伸穿过所述第二层并进入所述第三层，并且其中，所述第二层被设置为与所述第三层直接相邻。

14.根据权利要求13所述的单向高电压穿通瞬态电压抑制器件，其特征在于，所述基板限定了一组侧表面，并且其中，所述沟结构不与所述一组侧表面相交。