[实用新型]一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路有效

专利信息
申请号: 202222810432.1 申请日: 2022-10-25
公开(公告)号: CN218586877U 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 陈国赟 申请(专利权)人: 陈国赟
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H03K17/081;H03K17/687
代理公司: 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 代理人: 李冲
地址: 536100 广西壮族自治区*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 香薰机 雾化器 mos 保护 电路
【说明书】:

本实用新型公开了一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路,包括电压比较电路、电流采样电路,所述电压比较电路包括三极管Q7、电阻R2,所述三极管Q7的集电极连接PWM电路,所述三极管Q7的基极连接电阻R2,所述三极管Q7的发射极接地;所述电流采样电路包括电阻R7,所述电阻R7一端连接MOS管Q5的源极、另一端接地;电流通过电阻R7产生电压,与三极管Q7基极电压比较,当高于三极管Q7基极电压后三极管Q7导通,拉低MOS管Q5栅极电压使之截止,实现过流及短路保护。本实用新型采用两种方式拉低MOS管Q5栅极电压使之截止,实现过流及短路保护,可达到工作时电感短路或雾化片短路MOS管不烧毁的效果。

技术领域

本实用新型涉及过流保护电路技术领域,具体是指一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路。

背景技术

超声波香薰机雾化器,常见频率有3MHz、2.4MHz、1.7MHz、1MHz,目前的现状,仍然是MOS管容易在工作时烧毁,有供应商甚至不愿意向香薰机行业提供MOS管。导致MOS管损坏的原因有电压过高和电流过大,过压保护不在本专利讨论的范围内。电流过大的原因主要有:

1、容性负载导致MOS管初导通时电流峰值过高;

2、焊接温度超过居里点导致电感磁性降低;

3、电感或雾化片短路;

4、受潮或手触摸等原因,电压串入MOS管栅极导致MCU上电复位期间一直导通而损坏;

5、PWM毛刺导致MOS管导通时间过长。

所以,一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路成为人们亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路,防止MOS管因电流过大损坏,降低故障率。

为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案为:一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路,包括电压比较电路、电流采样电路,所述电压比较电路包括三极管Q7、电阻R2,所述三极管Q7的集电极连接PWM电路,所述三极管Q7的基极连接电阻R2,所述三极管Q7的发射极接地;所述电流采样电路包括电阻R7,所述电阻R7一端连接MOS管Q5的源极、另一端接地;电流通过电阻R7产生电压,与三极管Q7基极电压比较,当高于三极管Q7基极电压(0.7V)后三极管Q7导通,拉低MOS管Q5栅极电压使之截止,实现过流及短路保护。

作为改进,所述PWM电路包括MCU、电阻R11,所述MCU的PWM端连接电阻R11,所述电阻R11连接雾化器电路的MOS管Q5的栅极,所述MCU的刹车端连接三极管Q7的集电极。

作为改进,所述PWM电路包括PWM端、电阻R11、三极管Q6、三极管Q8,所述PWM端连接电阻R11,所述三极管Q6和三极管Q8组成图腾柱驱动电路作为阻抗转换,所述电阻R11连接三极管Q6和三极管Q8的基极后连接三极管Q7的集电极。

本实用新型与现有技术相比的优点在于:本实用新型的电路中电流通过电阻R7产生电压,当高于三极管Q7基极电压0.7V后三极管Q7导通。采用两种方式拉低MOS管Q5栅极电压使之截止,实现过流及短路保护,可达到工作时电感短路或雾化片短路MOS管不烧毁的效果。

附图说明

图1是本实用新型一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路的电路原理图一。

图2是本实用新型一种香薰机雾化器MOS管过流保护电路的电路原理图二。

具体实施方式

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