[实用新型]一种芯片生产用的干法刻蚀机有效
申请号: | 202222835171.9 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN217933732U | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 付勇林;范绅钺;文国昇;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 何世磊 |
地址: | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 生产 刻蚀 | ||
本实用新型提供一种芯片生产用的干法刻蚀机,包括反应仓、密封盖、升降组件及抽风组件,所述密封盖通过所述升降组件设于所述反应仓的上端面,所述升降组件用于驱使所述密封盖上升或下降;所述抽风组件包括与所述反应仓连通的排气管、设于所述排气管上的引风机和手阀、以及设于所述排气管尾端的厂务排风系统。通过采用空气置换的方式去除反应仓内氯化物,大大提升清洁效率,解决了现有技术中采用气体吹扫的方式来去除刻蚀机反应仓内有毒气体所导致效率低下的技术问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种芯片生产用的干法刻蚀机。
背景技术
干法刻蚀机是生产LED芯片的常用设备,干法刻蚀制程主要刻蚀气体为三氯化硼,是一种无色有毒有害的气体,通过对三氯化硼加热的方式由液态变成气态通入腔体,通过电浆的方式与产品发生化学或物理反应达到对产品刻蚀的一个过程,使用到一定的天数需要对设备进行保养。因干法刻蚀制程中通入三氯化硼气体,腔室内会残留大量有毒有刺鼻性的氯化物质,因此在保养前需要做吹扫动作,通过反应的方式清洁以减少腔室内气味,保证人员安全。
目前传统的刻蚀机保养前的气体吹扫方式,真空状态下,腔体内通入氮气在腔室内反应,通过设备排气方式进入设备尾气系统,吹扫时间要3个小时,效果有一定的改进,但仍然有刺鼻性气味,通过气体侦测器检查到的氯离子浓度数值偏大,有害保养人员身体健康。
实用新型内容
基于此,本实用新型的目的是提供一种芯片生产用的干法刻蚀机,用于解决现有技术中采用气体吹扫的方式来去除刻蚀机反应仓内有毒气体,导致效率低下的技术问题。
本实用新型一方面提出一种芯片生产用的干法刻蚀机,包括反应仓、密封盖、升降组件及抽风组件,所述密封盖通过所述升降组件设于所述反应仓的上端面,所述升降组件用于驱使所述密封盖上升或下降;
所述抽风组件包括与所述反应仓连通的排气管、设于所述排气管上的引风机和手阀、以及设于所述排气管尾端的厂务排风系统。
上述芯片生产用的干法刻蚀机,通过采用空气置换的方式去除反应仓内氯化物,大大提升清洁效率,具体地,先打开手阀、引风机及厂务排风系统,使得反应仓内处于负压状态,然后启动升降组件抬高反应仓的密封盖,在负压的作用下外界空气被吸入反应仓内部与腔室内氯化物(BCL3)反应生成HCL,再由引风机抽至厂务排风系统,带走有毒有害物质实现清洁保养,从而快速解决保养时间长的问题,解决了现有技术中采用气体吹扫的方式来去除刻蚀机反应仓内有毒气体,导致效率低下的技术问题。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述升降组件包括导向柱、导向套及伸缩气缸,所述导向柱和伸缩气缸均设于所述反应仓的侧壁上,所述导向套设于所述密封盖的4个对角处,所述导向套与所述导向柱之间滑动配合连接,所述伸缩气缸的伸缩杆固定连接所述密封盖的侧壁。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述密封盖的周侧边缘向下延伸形成有一与所述反应仓侧壁卡槽适配的挡板,所述卡槽上间隔分布有多个与所述挡板对应的进气孔。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述进气孔呈凸轮状。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述密封盖朝向所述反应仓的一侧设有密封圈。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述密封圈采用氢化丁腈橡胶制备而成。
进一步地,所述芯片生产用的干法刻蚀机,其中,所述排气管上连通有一气体侦测器。
附图说明
本实用新型的上述与/或附加的方面与优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显与容易理解,其中:
图1为本实用新型中芯片生产用的干法刻蚀机的立体图;
图2为本实用新型中抽风组件的具体结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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