[实用新型]一种门极换流晶闸管GCT器件结构有效
| 申请号： | 202222845340.7 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN218730959U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张磊;王峰瀛;范晓波;纪卫峰;张歧宁;杨俊艳;张刚琦 | 申请（专利权）人： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人： | 彭冬英 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 换流 晶闸管 gct 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种门极换流晶闸管GCT器件结构，其特征在于：从上往下依次设置有阴极铝层(10)和门极铝层(11)、阴极N+区(20)、门极P区(21)、P-区(22)、N-基区(30)、N缓冲区(40)、透明阳极P+区(41)和阳极铝层(50)。
2.根据权利要求1所述的一种门极换流晶闸管GCT器件结构，其特征在于：所述阴极N+区(20)深度为15～25μm，所述门极P区(21)深度为30～60μm，所述P-区(22)深度为100～140μm，所述N-基区(30)厚度为400～600μm，所述N缓冲区(40)的深度为20～40μm，所述透明阳极P+区(41)深度为1～10μm。
3.根据权利要求1所述的一种门极换流晶闸管GCT器件结构，其特征在于：所述的阴极铝层(10)和门极铝层(11)之间设有门极沟槽(200)，其深度为H，且深度大于阴极N+区(20)深度，阴极N+区(20)下方分别设置了波状P区(210)和波状P-区(220)，其深度都等于门极沟槽(200)深度，阴极铝层(10)厚度等于门极铝层(11)厚度。
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