[实用新型]一种多量子阱结构

权利要求书

1.一种多量子阱结构，包括交替设置的量子垒层和量子阱层，其特征在于：所述多量子阱结构还包括设置在量子垒层中的第一应力调制层和量子阱层中的第二应力调制层中的至少一个，所述第一应力调制层和第二应力调制层的晶格常数介于量子阱与量子垒层之间，用以降低多量子阱结构的内部应力。

2.根据权利要求1所述的多量子阱结构，其特征在于，所述多量子阱结构还包括设置在所述第一应力调制层之间的量子垒工艺层。

3.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其特征在于，在每层所述量子垒层中，所述第一应力调制层的厚度与所述量子垒工艺层的厚度比例范围是1：2至1：15。

4.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其特征在于，所述量子垒工艺层和所述第一应力调制层交替循环，交替循环后的全部所述量子垒工艺层的总厚度不大于所述量子垒层的厚度。

5.根据权利要求1所述的多量子阱结构，其特征在于，所述多量子阱结构还包括设置在所述第二应力调制层之间的量子阱工艺层。

6.根据权利要求5所述的多量子阱结构，其特征在于，在每层所述量子阱层中，所述第一应力调制层的厚度与所述量子阱工艺层的厚度比例范围是1：2至1：6。

7.根据权利要求5所述的多量子阱结构，其特征在于，所述量子阱工艺层和所述第二应力调制层交替循，交替循环后的全部所述量子阱工艺层的总厚度不大于所述量子阱层的厚度。

8.根据权利要求5所述的多量子阱结构，其特征在于，所述量子阱层的材料为InGaN，第二应力调制层与所述量子阱工艺层的厚度比为1:4至1:6。

9.根据权利要求5所述的多量子阱结构，其特征在于，所述量子垒层材料为GaN，所述第一应力调制层为MgN_x；所述量子阱层材料为InGaN，所述第二应力调制层材料为SiN_y。

10.根据权利要求9所述的多量子阱结构，其特征在于，第二应力调制层与所

述量子阱工艺层的厚度比为1:2至1:4。