[实用新型]一种可调节热场的八英寸PVT生长炉有效
| 申请号： | 202222917890.5 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN218175203U | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 许彬杰;韩学峰;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 英寸 pvt 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，包括保温层、坩埚、侧边加热器、碳化硅粉源区与八英寸碳化硅籽晶，所述坩埚的顶部设有可分离的顶部加热器，所述顶部加热器从里至外分成四层，每一层包括 N 个加热器，N 为偶数且大于等于4，同一层上的加热器大小相同。
2.根据权利要求1所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，还包括与加热器固定的连接杆以及多条导轨，所述导轨安装于保温层的内侧，所述加热器通过连接杆沿导轨移动。
3.根据权利要求2所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，所述导轨条数为N。
4.根据权利要求2所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，单条所述导轨上固定4个加热器。
5.根据权利要求1所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，所述N为8。
6.根据权利要求1所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，所述八英寸碳化硅籽晶设置于所述坩埚的上端，所述碳化硅粉源区设置于所述坩埚的下部。
7.根据权利要求1所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，所述坩埚设置于所述侧边加热器内部，所述侧边加热器设置于所述保温层内部。
8.根据权利要求1所述的一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，其特征在于，还包括用于驱动加热器的电动传控装置。
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