[实用新型]一种电平位移电路及电荷泵电路控制信号传输装置

说明书

本实用新型公开了一种电平位移电路及电荷泵电路装置，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术存在的电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本的技术问题。该电路包括锁存模块、钳位电压模块和信号控制模块；所述锁存模块用于暂时存储电位信号；所述钳位电压模块用于防止所述电路的器件受到损坏；所述信号控制模块用于改变所述锁存模块的电位信号；所述锁存模块连接所述钳位电压模块；所述钳位电压模块连接所述信号控制模块。本实用新型的电路结构简单，使用低压器件能够降低电路成本。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电平位移电路及电荷泵电路控制信号传输装置。

背景技术

电机驱动中，随着驱动电流需求越来越大，双NMOS的驱动结构应用很广，这是因为NMOS的驱动能力很强，代替了PMOS的应用。但是驱动高压域的NMOS管，就会用到升压技术，让栅级电压大于漏级的电源电压，从而提供较好的导通能力。现有的功率NMOS管的发展，出现很多低电压开启NMOS管，在5V以下就能很好开启。这样高压域的电压控制可以做到采用隔离低压器件来实现，如通过电荷泵产生相关高电压域的电压；同时实现低压域到高压域的通信，一般采用电平位移电路。

在实现本实用新型过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电平位移电路及电荷泵电路装置，以解决现有技术中存在电平位移电路对工艺有耐压要求，需要使用耐高压器件，从而导致芯片采用高压工艺，增加芯片的制造流程和生产成本的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种电平位移电路及电荷泵电路装置，用于将所述电路输入的低压域信号转化成高压域信号输出，包括锁存模块、钳位电压模块和信号控制模块；所述锁存模块用于暂时存储电位信号；所述钳位电压模块用于防止所述电路的器件受到损坏；所述信号控制模块用于改变所述锁存模块的电位信号；所述锁存模块连接所述钳位电压模块；所述钳位电压模块连接所述信号控制模块。

优选的，所述锁存模块包括第一反相器I1、第二反相器I2；所述第一反相器I1、第二反相器I2的电源端分别接高电位电源VH，地端分别接低电位电源VL；所述第一反相器I1的输入端连接所述第二反相器I2的输出端；所述第一反相器I1的输出端连接所述第二反相器I2的输入端。

优选的，所述钳位电压模块包括第三反相器I3和第四反相器I4；所述第三反相器I3、第四反相器I4的电源端分别连接所述第一反相器I1、第二反相器I2的输出端，地端分别连接所述信号控制模块，输入端分别连接所述低电位电源VL，输出端悬空。

优选的，所述信号控制模块包括第五反相器I5、第一MOS管NM1、第二MOS管NM2；所述第五反相器I5的电源端连接工作电源VDD，地端接地GND，输入端接输入电压VIN，输出端接所述第一MOS管NM1的栅极；所述第一MOS管NM1的源极接地GND，漏极接所述第三反相器I3的地端；所述第二MOS管的栅极接所述输入电压VIN，源极接地GND，漏极接所述第四反相器I4的地端。

优选的，所述第一反相器I1、第二反相器I2、第三反相器I3、第四反相器I4、第五反相器I5均为CMOS反相器。

优选的，所述电路还包括驱动增强模块，用于增强输出电压的信号驱动；所述驱动增强模块连接所述锁存模块。

优选的，所述驱动增强模块包括第六反相器I6；所述第六反相器I6的输入端连接所述第二反相器I2的输出端，电源端接所述高电位电源VH，地端接所述低电位电源VL，输出端输出所述输出电压VOUT。